Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термический отжиг эпитаксиальных пленок Cd0.7Hg0.3Te, легированных индием
Мынбаев К.Д.
1, Баженов Н.Л.
1, Дорогов М.В.
2, Балашов В.С.2, Варавин В.С.
3, Ремесник В.Г.
3, Михайлов Н.Н.
3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mvdorogov@itmo.ru, vovan.balashov@niuitmo.ru, varavin@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 22 июня 2026 г.
Принята к печати: 22 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 1 октября 2026 г.
Исследованы оптические свойства (оптическое отражение и пропускание, а также фотолюминесценция) и элементный состав (по данным рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии) эпитаксиальных пленок Cd0.7Hg0.3Te, легированных индием и прошедших термический отжиг. Полученные результаты показали стабилизирующее влияние индия на свойства материала при 300 K. Определено, что в результате отжига легированного Cd0.7Hg0.3Te в его дефектной структуре происходят изменения, приводящие к модификации оптических свойств при низких температурах, обратные наблюдаемым в нелегированном материале. Ключевые слова: CdHgTe, легирование, отжиг, дефекты, фотолюминесценция.
- A. Drago. Instruments, 9, 12 (2025). DOI: 10.3390/instruments9020012
- M.A. Fadeev, A.A. Yantser, K.E. Kudryavtsev, A.A. Razova, V.V. Utochkin, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.V. Morozov. Appl. Optics, 65, 177 (2026). DOI: 10.1364/AO.578783
- A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, G.Y. Sidorov, M.V. Yakushev. J. Phys. D: Appl. Phys., 58 (3), 305101 (2025). DOI: 10.1088/1361-6463/adee2c
- М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, Н.Н. Михайлов. ФТТ, 67 (5), 805 (2025). DOI: 10.61011/FTT.2025.05.60742.131-25
- P. Koppel. J. Appl. Phys., 57 (5), 1705 (1985). DOI: 10.1063/1.3344411983
- М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, А.М. Смирнов, В.В. Бельков, М.В. Томкович, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, Н.Н. Михайлов. ФТТ, 67 (1), 22 (2025). DOI: 10.61011/FTT.2025.01.59763.4-25
- D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Aimez, R. Gauvin. Scanning, 29 (3), 92 (2007). DOI: 10.1002/sca.20000
- G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53 (10), 7099 (1982). DOI: 10.1063/1.3300181705
- I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, O.I. Fitsych, A.Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K.D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela. Infr. Phys. Technol., 81, 52 (2017). DOI: 1016/j.infrared.2016.12.006
- K. Majkowycz, K. Murawski, M. Kopytko. Infr. Phys. Technol., 137, 105126 (2024). DOI: 10.1016/j.infrared.2024.105126
- К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 40 (1), 3 (2006)
- A. Rogalski, M. Kopytko, F. Dai, R. Jiang, F. Wang, W. Hu, P. Martyniuk. Measurement, 230, 114495 (2024). DOI: 10.1016/j.measurement.2024.114495
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
