"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки
Терентьев Я.В.1, Люблинская О.Г.1, Торопов А.А.1, Соловьев В.А.1, Сорокин С.В.1, Усикова А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (Nd~ 5· 1016 см-3) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны Eg. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше Eg, и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель. PACS: 71.70.Ej; 78.55.Cr; 78.60.Fi
  1. L.L. Chang, E.E. Mendez, N.J. Kawai, L. Esaki. Surf. Sci., 113, 306 (1982)
  2. Y. Lacroix, S.P. Watkins, C.A. Tran, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  3. Y. Yafet, R.W. Keyes, E.N. Adams. J. Phys. Chem. Sol., 1, 137 (1956)
  4. M.I. Dyakonov, A.L. Efros, D.L. Mitchell. Phys. Rev., 180, 813 (1968)
  5. I.V. Ponomarev, V.V. Flambaum, A.L. Efros. Phys. Rev. B, 60, 5485 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.