"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN
Сизов Д.С.1, Заварин Е.Е.1, Леденцов Н.Н.1, Лундин В.В.1, Мусихин Ю.Г.1, Сизов В.С.1, Сурис Р.А.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

На примере квантовых точек InGaN теоретически и экспериментально исследовались электронно-оптические свойства ансамблей квантовых точек с различной энергией активации с уровня основного состояния в область непрерывного спектра. Показано, что в зависимости от величины этой энергии возможна как квазиравновесная статистика носителей на уровнях квантовых точек, так и неравновесная статистика при комнатной температуре. В последнем случае положение максимума излучения определяется величиной демаракационного перехода: квантовые точки с энергией перехода выше этой велчины обладают квазиравновесной заселенностью носителей, а квантовые точки с энергией ниже этой величины --- неравновесной. В теоретическом рассмотрении использовалась модель, основанная на скоростных уравнениях. Ключевыми параметрами, определяющими статистику, являются параметры термического выброса носителей, экспоненциально зависящие от энергии активации. В работе экспериментально показано, что использование стимулированного фазового распада позволяет существенно повысить энергию активации. При этом время термической активации оказывается больше времени рекомбинаци электронно-дырочной пары, что подавляет перераспределение носителей между квантовыми точками и приводит к неравновесной заселенности. Подробно исследовано влияние неравновесной заселенности на люминесцентные свойства структур с квантовыми точками. PACS: 73.21.La, 73.67.Kv, 78.60.Fi, 78.68.Hc, 81.07.Ta
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, 1999)
  • С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  • C. Santori, D. Fattal, J. Vuckovic, G.S. Solomon, Y. Yamamoto. Nature, 419 (10), 594 (2002)
  • Y. Arakawa, S. Kako. Proc. 6th Int. Conf. on Nitride Semiconductors --- ICNS6 (Bremen, Germany, Aug. 28-Sept. 2, 2005) Th-OP5-1
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahara. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L797 (1995)
  • T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
  • P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов. D. Bimberg. ФТП, 38 (10), 1245 (2004)
  • M.S. Jeong, J.Y. Rim, Y.-W. Kim, J.O. White, E.-K. Suh, C.-H. Hong, H.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (7), 976 (2001)
  • M. Takeguchi, M.R. McCartney, D.J. Smith. Appl. Phys, Lett., 84 (12), 2103 (2004)
  • D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. Proc. 13th Int. Conf. " Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20-25, 2005) c. 294
  • D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Vlasov, N.N. Ledentsov, A.M. Mintairov, K. Sun, J. Merz. Proc. 13th Int. Conf. " Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20-25, 2005) c. 296
  • I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002)
  • D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.M. Araktcheeva, N.N. Ledentsov. Proc. Int. Conf. Nanomeeting" (Minsk, Belarus, May 24-27, 2005)
  • В.С. Сизов, Д.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 40 (5), 589 (2006)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 148 (1997)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn (N. Y., Wiley, 1981)
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Bolovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (42), 16 671 (2000)
  • S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72 (16), 2011 (1998)
  • P.G. Eliseev. J. Appl. Phys., 93, 5404 (2003)
  • Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (2), 264 (2005)
  • Д.С. Сизов, В.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (11), 1350 (2005)
  • Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80 (12) 2099 (2002)
  • H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure lasers (Academic London, 1978)
  • Ш.М. Коган. ФТП, 11, 1158 (1977)
  • К.А. Булашевич, С.Ю. Карпов, Р.А. Сурис. Матер. III Всеросс. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (Москва, июнь 4--7, 2004) с. 88
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.