"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN
Титков И.Е.1, Зубрилов А.С.1, Делимова Л.А.1, Машовец Д.В.1, Линийчук И.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Обнаружена белая электролюминесценция структур ZnO/GaN, полученных методом лазерного напыления ZnO : In на структуры GaN : Mg/GaN, выращенные методом MOCVD на подложке Al2O3. Белый свет получался в результате сложения двух наиболее интенсивных спектральных линий, узкой синей и широкой желтой (длины волн в максимумах 440 и 550 нм соответственно). Соотношение интенсивностей разных спектральных линий электролюминесценции гетероструктур ZnO/GaN/Al2O3 зависело от качества пленки ZnO и тока накачки. Белая электролюминесценция обусловлена высокой плотностью структурных дефектов на интерфейсе n-ZnO/p-GaN. Построена энергетическая диаграмма гетероструктуры n-ZnO/p-GaN/n-GaN и предложено качественное объяснение наблюдаемой электролюминесценции. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 73.40.Kp, 73.40.Lq, 78.60.-b, 78.60.Fi
  • Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  • Ю. Давиденко. Соврем. электроника, 10, 36 (2004)
  • А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП 32 (1), 63 (1998)
  • А.Г. Дрижук, М.В. Зайцев, В.Г. Сидоров, Д.В. Сидоров. Письма ЖТФ, 22 (11), 23 (1996)
  • Y.Y. Yan, S.B. Zhang, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 86, 5723 (2001)
  • Y.R. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, H.W. White. J. Cryst. Growth, 216, 330 (2000)
  • M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, T. Kawai. Physica B, 302--303, 140 (2001)
  • T. Aoki, Y. Hatanaka, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 76, 3257 (2000)
  • X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
  • Q.-X. Yu, B. Xu, Q.-H. Wu, Y. Liao, G.-Zh. Wang, R.-Ch. Fang, H.-Y. Lee, Ch.-T. Lee. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4713 (2003)
  • Ya.I. Alivov, E.V. Kalinina, A.E. Cherenkov, D.C. Look, B.M. Ataev, A.K. Omaev, M.V. Chukichev, D.M. Bagnall. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4719 (2003)
  • B.M. Ataev, Ya.I. Alivov, E.V. Kalinina. 2nd Conf. GaN (Flagstaff, Arizona, USA, May 2004)
  • В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, А.Я. Шик. Варизонные полупроводинки и гетероструктуры (СПб., Наука, 2000)
  • A.A. Greshnov, D.M. Bauman, B.Y. Ber, A.E. Chernyakov, A.P. Kovarskyi, A.M. Kovtunovich, N.M. Shmidt, B.S. Yavich, A.L. Zakgeim. Proc. 14th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 26--30, 2006) p. 242
  • С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  • V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001)
  • S. Nakamura, Chichibu, F. Shigefusa. Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (CRC Press, 2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.