Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода

Кадушкин В.И.¹

¹Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия

Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждено распределение электронов по подзонам размерного квантования (E_m - основной и E_p - возбужденной) в квантовой яме сильно легированного гетероперехода. Функциональная связь концентраций n_m и n_p в поздозах E_m и E_p, а также пороговое значение n_c лишь качественно следуют теории. Возможно, это связано с наличием хвостов плотности состояний и квазидвумерностью электронов в E_p-подзоне. Измеряемая концентрация n_p в предпороговой области n_m<n_c объяснена эффектом прижимания n_p-электронов к плоскости гетероперехода внутренним электрическим полем. PACS: 72.20.My, 73.40.Kp, 73.63.Hs

Л.В. Иогансен. ЖЭТФ, 50, 709 (1966)
E.F. Shubert, K. Ploog. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-32, 1868 (1985)
E.F. Shubert, A. Fisher, K. Ploog. Phys. Rev. B, 31, 7937 (1985)
H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Sol. St. Commun., 41, 717 (1982)
R. Fletcher, E. Zaremba, M. D'Iorio, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 38, 7866 (1988)
D.R. Leadly, R.J. Nicolas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 5, 1081 (1990)
R. Fletcher, E. Zaremba, M. D'Iorio, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 41, 10 649 (1990)
R.M. Kusters, F.A. Wittekamp, J. Singleton, J.A.A.J.J.-P. Andre. Phys. Rev. B, 46 (16), 10 207 (1992)
V.I. Kadushkin, A.B. Dubois, Yu.N. Gorbunova, A.P. Melechov, F.M. Tsakhaev. Phys. Low-Dim. Structur, 9/10, 11 (2003)
Ж.И. Алфёров, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Б.Я. Мельцер, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, В.М. Устинов, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 19 (7), 1199 (1985)
D.R. Leadley, R. Fletcher, R.J. Nicholas, F. Tao, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 46 (19), 12 439 (1992)
P.T. Coleridge. Phys. Rev. B, 39, 1120 (1989)
P.T. Coleridge. Semicond. Sci. Technol., 5, 961 (1990)
H. van Houten, J.G. Williamson, M.E.I. Broekaart, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 37 (5), 2756 (1988)
F.F. Fang, T.P. Smith III, S.L. Wright. Surf. Sci., 196, 310 (1988)
В.И. Кадушкин. Автореф. докт. дис. (М., МИФИ, 1995)
A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams et al. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
D.K. Maude, J.C. Portal, L. Dmowsky et al. Phys. Rev. Lett., 59, 815 (1987)
T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett., 60, 361 (1988)
B. Etienne, V. Thierey-Mieg. Appl. Phys. Lett., 52, 1237 (1988)
T.N. Theis, B.D. Parker, P.M. Solomon, S.L. Wright. Appl. Phys. Lett., 49, 1542 (1986)
L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. Lett., 66, 68 (1981); Semicond. Sci. Technol., 6, B51 (1991)
P. Jeanjean, J. Sicart, J.L. Robert, F. Mollot, R. Planal. Superlatt. Microstruct., 8, 345 (1990)
G. Brunthaler, M. Seto, G. Stoger, K. Kohler. Appl. Phys. Lett., 65 (24), 3084 (1994)
I. Rudnev, V.F. Elesin, V. Kadushkin, E. Shangina. Czechoslovak J. Phys., 46-S5, 1511 (1996)
С.А. Стоклицкий, В.Н. Мурзин, В.И. Кадушкин и др. Proc. Int. Conf. "Microelectronics-94" (Swenigorod, Moscow, 1994) pt. 1, p. 187. [Кр. сообщ. по физике ФИАН, 9/10, 10 (1994)]
J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Lett., 58 (12), 1256 (1987)
M.L. Leadbeater, E.S. Alves, L. Eaves et al. Electron. Lett., 24, 1190 (1988); Semicond. Sci. Technol., 3, 1060 (1988)
G.K. Rasulova, M.V. Yakimov, V.I. Kadushkin. Superlatt. Microstruct., 24 (5), 313 (1988)
M. Keever, H. Morkoc, B.G. Shichigo. Appl. Phys. Lett., 35, 469 (1979)
В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, Е.В. Богданов и др. Письма ЖЭТФ, 63 (5), 326 (1996)
В.И. Кадушкин, А.А. Денисов, А.Л. Сеничкин. ФТП, 23, 1199 (1989)
F. Bosc, J. Sicart, J.L. Rober. Appl. Phys., 88, 1515 (2000)
Z. Williamowski, T. Suski, W.J. Jantson. Acta Physica Polon., 82, 561 (1992)
Z. Williamowski, J. Kossut, W. Jantch, G. Ostermayer. Semicond. Sci. Technol., 63, 38 (1991)
J.R. Kirtley, T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wrught. J. Appl. Phys., 63, 1541 (1988)
Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23, 3 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель