Вышедшие номера
Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование
Алексеев П.С.1,2, Чистяков В.М.2, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Построена теория спин-зависимого резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную гетероструктуру в присутствии электрического поля. Спин-орбитальное расщепление учитывается введением в эффективный гамильтониан слагаемого Дрессельхауза. Проанализирована возможность создания спинового детектора и инжектора на основе немагнитной полупроводниковой GaAlSb-гетероструктуры, управляемой электрическим полем. PACS: 73.40.Gk, 73.43.Jn, 85.30.Mn, 85.75.Mm