Исследовалась гетероструктура n-GaAs/AlGaAs, "недолегированная" Si, в которой в отсутствие облучения проводимость в двумерном канале была при T=4.2 K меньше чем 10^-8 Ом^-1. С помощью последовательного облучения светодиодом проводимость в гетероструктуре можно было увеличивать на 5 порядков до ~10^-3 Ом^-1, что давало возможность изучать переход металл-диэлектрик на одном и том же образце и при одной и той же температуре. Предложен новый метод исследования перехода металл-диэлектрик с помощью акустоэлектронных эффектов. Они были измерены при последовательном облучении образца без магнитного поля и в магнитном поле до 6 Tл при T=4.2 K. Были определены реальная sigma₁ и мнимая sigma₂ компоненты высокочастотной проводимости sigma^hf=sigma₁-isigma₂ и их отношение sigma₂/sigma₁. Показано, что переход металл-диэлектрик имеет перколяционный характер. Обнаружено, что вплоть до sigma₁~10^-7 Ом^-1 система находится в диэлектрическом состоянии, электроны локализованы в минимумах случайного потенциала. При этом осуществляется прыжковый механизм высокочастотной проводимости, характеризующийся соотношением sigma₂>> sigma₁. По мере увеличения концентрации электронов электронные капли становятся все большего размера, и в них возникает высокочастотная проводимость. Механизм проводимости становится смешанным: параллельно прыжковому механизму возникает проводимость делокализованных электронов в металлических каплях. При дальнейшем росте проводимости (более 10^-5 Ом^-1) металлические капли заполняют всю поверхность, и реализуется металлическое состояние, при котором sigma₂=0. Построена кривая, демонстрирующая зависимость относительной части поверхности, занятой металлическими каплями, от проводимости двумерного канала. PACS: 72.20.Ee, 73.50.Rb, 73.21.La, 73.63.Kv

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.