Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием

Шабунина Е.И.¹, Шмидт Н.М.¹, Черняков А.Е.², Тальнишних Н.А.², Закгейм А.Л.², Иванов А.Е.^2,3, Алексанян Л.А.⁴, Поляков А.Я.⁴

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Electrotechnical University ”LETI“, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg Electrotechnical University ”LETI“, St. Petersburg, Russia

⁴Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Email: jenni-85@mail.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 24 июня 2025 г.

Принята к печати: 18 сентября 2025 г.

Выставление онлайн: 1 декабря 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы коммерческие AlGaN ультрафиолетовые светодиоды с длиной волны излучения 270-280 нм и внешней квантовой эффективностью 5-7 %. C-V-профилирование выявило на порядок более высокую концентрацию электронов в активной области по сравнению с синими светодиодами, вызванную перелегированием кремнием. Анализ спектров электролюминесценции и частотных зависимостей спектральной плотности низкочастотного шума выявил перестройку возбужденных дефектов в ультрафиолетовых светодиодах при уровнях инжекции на порядок ниже, чем в синих светодиодах, а также начало генерации дефектов при старении после 25 ч. Ключевые слова: светодиоды, УФ диапазон, MQW, AlGaN/GaN, низкочастотный шум.

H. Xu, H. Long,, J. Jiang, M. Sheikhi, L. Li, W. Guo, J. Dai, C. Chen, J. Ye. Nanotechnology, 30, 435202 (2019). DOI: 10.1088/1361-6528/ab3208
M. Kneissl, T.Y. Seong, H. Jung, A. Hiroshi. Nat. Photonics, 13, 233 (2019)
Q. Ong, J.W.R. Teo, J.D. Cruz, E. Wee, W. Wee, W. Han. Heliyon, 8, 11132 (2022). https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2022.e11132
M. Su, H. Liu, M. Cai, W. Sun. IEEE Trans. Electron Dev., 70 (2), 570 (2023)
F. Piva, M. Buffolo, N. Roccato, M. Pilati, S. Longato, N. Susilo, D.H. Vidal, A. Muhin, L. Sulmoni, T. Wernicke, M. Kneissl, C.D. Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Semicond. Sci. Technol., 39, 075025 (2024). https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad54e9
H. Hirayama, T. Takano, M.S. Jun, T. Takuya, M. Kenji, J. Noritoshi, I.O. Masafumi, M. Issei, K. Takuma. Proc. SPIE, 10104, 101041 (2017)
M. Su, H. Liu, M. Cai, W. Sun. IEEE Trans. Electron Dev., 70 (2), 570 (2023)
G. Savchenko, E. Shabunina, A. Chernyakov, N. Talnishnikh, A. Ivanov, A. Abramov, A. Zakgeim, V. Kuchinskii, G. Sokolovskii, N. Averkiev, N. Shmidt. Nanomaterials, 14, 1072 (2024). https://doi.org/10.3390/
V. Davydov, E.M. Roginskii, Y. Kitaev, A. Smirnov, I. Eliseyev, E. Zavarin, W. Lundin, D. Nechaev, V. Jmerik, M. Smirnov, M. Pristovsek, T. Shubina. Nanomaterials, 11, 2396 (2021). https://doi.org/10.3390/nano11092396
Г.П. Жигальский. Флуктуации и шумы в электронных и твердотельных приборах (М., Физматлит, 2012)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37, 1131 (2003)
V.M. Busov, V.V. Emtsev, R.N. Kyutt, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt. Solid State Phenomena, 69-70, 525 (1999)
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich, G.V. Gordeeva. Nonradiative Recombination in Semiconductors; Modern Problems in Condensed Matter Sciences (North-Holland, Amsterdam--Oxford--N. Y., 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель