Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Al0.1Ga0.2In0.7Sb0.2P0.8/InP
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2025 г.
Принята к печати: 18 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2025 г.
Выявлены оптимальные условия выращивания гетероструктур AlGaInSbP/InP(100) методом жидкофазной градиентной эпитаксии: температура - 823 K, градиент температуры - 20 K/см, толщина зоны - 200 мкм и переохлаждение - 5 K. Методом масс-спектроскопии установлен состав AlxGayIn1-x-ySbzP1-z: x=0.1, y=0.2, z=0.2 мол. доли. С использованием рамановской спектроскопии доказано наличие пяти мод бинарных соединений: InSb, GaSb, InP, AlSb, GaP. Исследована зависимость структурного совершенства и фотолюминесценции от наличия атомов алюминия (0.1 мол. доли) в гетероструктурах Ga0.2In0.8Sb0.2P0.8/InP. Спектральная характеристика гетероструктур Al0.2In0.8P/Al0.1Ga0.2In0.7Sb0.2P0.8/InP показала высокое значение квантового выхода порядка 95 % в диапазоне длин волн λ=400-800 нм. Ключевые слова: кинетика роста, масс-спектроскопия, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция, внешний квантовый выход.
- Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.В. Донская. Неорг. матер., 60 (8), 963 (2024). DOI: 10.31857/S0002337X24080063
- Е.Н. Малышева, А.В. Кособуцкий, Ю.М. Басалаев. Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 9 (3), 304 (2012). https://elibrary.ru/download/elibrary_17829397_97768075.pdf
- С.П. Козырев. ФТТ, 60 (4), 779 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45693.306 [S.P. Kozyrev. Solid State Phys., 60 (4), 783 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418040170]
- Г.С. Гагис, Р.В. Левин, А.Е. Маричев, Б.В. Пушный, М.П. Щеглов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, Ю.А. Кудрявцев, А.С. Власов, Т.Б. Попова, Д.В. Чистяков, В.И. Кучинский, В.И. Васильев. ФТП, 53 (11), 1512 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48446.9191 [G.S. Gagis, R.V. Levin, A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, M.P. Scheglov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, A.S. Vlasov, T.B. Popova, V.I. Kuchinskii, V.I. Vasil'ev, Y.A. Kudriavtsev, D.V. Chistyakov. Semiconductors, 53 (11), 1472 (2019). DOI: 10.1134/S106378261911006X]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
