Используя численное моделирование, исследуется роль встречно включенных туннельных диодов в многопереходных монолитных фотопреобразователях в процессе преобразования мощных субнаносекундных лазерных импульсов в импульс напряжения на подключенной нагрузке. Показано, что в этом случае, в отличие от стационарного лазерного излучения, туннельные диоды уже не являются ключевыми элементами многопереходного фотопреобразователя, без которых его функционирование оказывается невозможным, поскольку туннельные токи замещаются токами смещения. Впервые на примере двух-, трех- и шестипереходных p-i-n-фотопреобразователей, работающих в импульсном режиме, показана возможность их функционирования либо без туннельных диодов, либо при существенном снижении требований к их параметрам. Ключевые слова: встречно включенные туннельные диоды, ток смещения, многопереходные монолитные фотопреобразователи, субнаносекундные мощные лазерные импульсы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.