Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование профиля распределения электронов по люминесцентному экрану при исследовании полупроводникового полевого катода
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
Email: agkolosko@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 2 июля 2025 г.
Принята к печати: 8 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.
Представлен алгоритм моделирования профиля распределения плотности эмиссионного тока по поверхности плоского проводящего анода при холодной полевой эмиссии из полупроводникового катода конической формы с полусферической вершиной. Разработка включает в себя построение траекторий движения электронов от катода к аноду и обработку полученных данных с применением интегрально-аппроксимационных расчетов. Ключевые слова: полевая эмиссия из полупроводников, моделирование траекторий электронов в COMSOL, распределение плотности тока, полевой эмиссионный проектор.
- N.V. Egorov, E.P. Sheshin. Field Emission Electronics. Springer Ser. in Advanced Microelectron., 60, 568 (2017). DOI: 10.1007/978-3-319-56561-3
- R. Patra, A. Singh, V.D. Vankar, S. Ghosh. Adv. Mater. Lett., 7 (10), 771 (2016). DOI: 10.5185/amlett.2016.6368
- M.M. Kopelvski, E. Galeazzo, H.E. Peres, F.J. Ramirez-Fernandez, D.A. Silva, M.O. Dantas. Measurement, 93, 208 (2016). DOI: 10.1016/j.measurement.2016.07.022
- A.G. Kolosko, S.V. Filippov, E.O. Popov. St. Petersburg Polytechnic University J. Phys. and Math., 16 (1.2), (2023). DOI: 10.18721/JPM.161.205
- A.G. Kolosko, E.O. Popov, S.V. Filippov, B.E. Mutygullin. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 50 (24), 26 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.24.59433.6598k
- M. Marchand, C. Journet, C. Adessi, S.T. Purcell. Phys. Rev. B, 80 (24), 245425-1-6 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.245425
- C.A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, E.R. Westerberg. J. Appl. Phys., 47 (12), 5248 (1976). DOI: 10.1063/1.322600
- M. Ding, G. Sha, A.I. Akinwande. IEEE Trans. Electron Dev., 49 (12), 2333 (2002). DOI: 10.1109/TED.2002.805230
- X. Wang, Z. Lin, K. Qi, Z. Chen, Z. Wang, Y. Jiang. J. Phys. D: Appl. Phys., 40 (16), 4775 (2007). DOI: 10.1088/0022-3727/40/16/006
- W.P. Dyke, J.K. Trolan, E.E. Martin, J.P. Barbour. Phys. Rev., 91 (5), 1043 (1953). DOI: 10.1103/PhysRev.91.1043
- G. Rughoobur, O.O. Ilori, A.I. Akinwande. J. Vac. Sci. Technol. B, 40 (4), 042803-1-8 (2022). DOI: 10.1116/6.0001938
- R. Stratton. Phys. Rev., 125, 67 (1962). DOI: 10.1103/PhysRev.125.67
- K.Н. Никольский, А.С. Батурин, А.И. Князев, Р.Г. Чесов, Е.П. Шешин. ЖТФ, 74 (2), 110 (2004). ISSN 0044-4642
- S.V. Bhosale, S.R. Suryawanshi, S.V. Bhoraskar, M.A. More, D.S. Joag, V.L. Mathe. Mater. Res. Express, 2 (9), 095001-1-12 (2015). DOI: 10.1088/2053-1591/2/9/095001
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
