Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC

Заварин Е.Е.^1,2, Родин С.Н.^1,2, Клюев Б.Ю.², Лундин В.В.¹, Николаев А.Е.¹, Артеев Д.С.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Цацульников А.Ф.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: zavarin@yandex.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 27 июня 2025 г.

Принята к печати: 3 июля 2025 г.

Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлен анализ по данным in situ оптической рефлектометрии упругих напряжений при росте гетероструктур AlGaN полевых транзисторов на 4H-SiC методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что изменение режимов роста зародышевого AlN и буферного GaN слоев, позволяет управлять напряжениями сжатия. Проведено сравнение влияния легирования GaN атомами Fe и C на упругие напряжения. Получены режимы роста структур с прогибом < 20 мкм для подложек диаметром до 3 дюймов. Ключевые слова: AlGaN, SiC, HEMT, эпитаксия, упругие напряжения.

I. Nikitina, M. Sheglov, Y. Melnik, K. Irvine, V. Dmitriev. Diamond. Rerlat. Mater., 6, 1524 (1997). DOI: 10.1016/S0925-9635(97)00122-2
https://compoundsemiconductor.net/article/121133/ Infineon_starts_200mm_SiC_product-roll_out
Maria Rosa Ardigo, Maher Ahmed, Aurelien Besnard. ISSN: 1662-8985, v. 996, pp 361-366. DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.996.361
J. Acord, S. Raghavan, D. Snyder, J. Redwing. J. Cryst. Growth, 272, 65 (2004). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.033
J.D. Acord. In situ stress measurements during MOCVD growth of aluminum gallium nitride on silicon carbide, Ph.D. thesis (Pennsylvania State University, 2007). 2007.3284895
J. Acord, I. Manning, X. Weng, D. Snyder, J. Redwing. Appl. Phys. Lett., 93, 111910 (2008). DOI: 10.1063/1.2986448
M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov, L.E. Velikovskiy. Phys. Status Solidi A, 213 (10), 2759 (2016). DOI: 10.1002/pssa.201600210

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель