"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона
Горбатюк И.Н.1, Остапов С.Э.1, Дремлюженко С.Г.1, Заплитный Р.А.1, Фодчук И.М.1, Жихаревич В.В.1, Дейбук В.Г.1, Попенко Н.А.2, Иванченко И.В.2, Жигалов А.А.2, Карелин С.Ю.2
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe --- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.
  • R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Pract. Mod. Phys., 98, 119 (1983)
  • G. Nimtz, B. Schlicht, R. Dornhaus. Appl. Phys. Lett., 34, 490 (1979)
  • H.R. Vydynath. J. Electrochem. Soc., 2609 (1981)
  • R.F.C. Farrow, G.R. Jones, G.M. Williams et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 12, L117 (1979)
  • H.M. Nitz, O. Ganschow, U. Kaiser et al. Surf. Sci., 104, 365 (1981)
  • W.F.H. Mickletwaite, R.F. Redden. Appl. Phys. Lett., 36, 379 (1980)
  • И.С. Вирт, Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко и др. Поверхность. Физика, химия, механика, 4, 60 (1988)
  • I.I. Izhnin. Proc. of SPIE, 3890, 519 (1998)
  • A. Wall, C. Captile, A. Franciosi. J. Vac. Sci. Technol., A4, 818 (1986)
  • О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, В.И. Каленик и др. Неорг. матер., 38, 335 (1992)
  • О.Г. Ланская, В.И. Каленик, Е.П. Лиленко и др. Матер. II Всес. сем. Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989) ч. 1, с. 332
  • P.M. Bridenbaugh. Mater. Lett., 3 (7,8), 287 (1985)
  • R. Grangler, A. Lasbley, S. Rolland et al. J. Cryst. Growth, 88, 682 (1988)
  • S. Cole, A.F.W. Willonghby, M.J. Brown. Cryst. Growth, 59, 370 (1982)
  • А. Жигалов, С. Карелин. Вестн. Львов. ун-та, 36, 199 (2003)
  • W. Scott, F. Stelzer, J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
  • И.Н. Горбатюк, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 38, 1414 (2004)
  • S.M. Komirenko. Semicond. Sci. Technol., 9, 19 (1994)
  • И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.