Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 3 » Статья стр. 165
<<<
Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al-In-Ga-As-P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400-1500 нм)
Russian science foundation (RSF), 22-79-10159
Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1, Светогоров В.Н.2, Рябоштан Ю.Л.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2024 г.
Принята к печати: 6 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
PDF версия
Разработаны и исследованы конструкции гибридных источников лазерного излучения на основе тиристорных токовых ключей и лазерных диодов. Гетероструктуры тиристорных токовых ключей и лазерных диодов были созданы с использованием технологии осаждения металлорганических соединений из газовой фазы в системах твердых растворов Al-In-Ga-As-P/InP. Для разработанных источников была продемонстрирована пиковая мощность 20 Вт при длительности импульса 65 нс и рабочем напряжении 15 В. Минимальное время задержки включения лазерной генерации относительно начала импульса тока управления составило 10 нс при амплитуде импульса тока 280 мА. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, импульсный полупроводниковый лазер.
  1. V. Molebny, P.F. McManamon, O. Steinvall, T. Kobayashi, W. Chen. Opt. Eng., 56 (3), 031220 (2017). DOI:10.1117/1.OE.56.3.031220
  2. J. Rapp, J. Tachella, Y. Altmann, S. McLaughlin, V.K. Goyal. IEEE Signal Proc. Mag., 37 (4), 62 (2020). DOI:10.1109/MSP.2020.2983772
  3. Safety of Laser Products --- Pt 1: Equipment Classification and Requirements, document IEC 60825-1:2014, International Electrotechnical Commission (Geneva, Switzerland, 2014)
  4. N. Volkov, A. Andreev, I. Yarotskaya, Y. Ryaboshtan, V. Svetogorov, M. Ladugin, A. Padalitsa, A. Marmalyuk, S. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D. Veselov, N. Pikhtin. Quant. Electron., 51 (2), 133 (2021). DOI:10.1070/QEL17480
  5. D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, I.K. Kirichenko, A.A. Podoskin, N.V. Shuvalova, N.A. Rudova, L.S. Vavilova, M.G. Rastegaeva, T.A. Bagaev, V.N. Svetogorov, A.A. Padalitsa, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk. J. Luminesc., 263, 120164 (2023). DOI: 10.1016/j.jlumin.2023.120164
  6. V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, N.A. Volkov, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 50 (12), 1123 (2020). DOI:10.1070/QEL17448
  7. L.W. Hallman, B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. Electron. Lett., 57 (23), 891 (2021). DOI:10.1049/ell2.12298
  8. J.F. Boucher, J. J. Callahan. Laser Technology for Defense and Security Vii, 8039, 45 (2011). DOI:10.1117/12.882930
  9. S.O. Slipchenko, O.S. Soboleva, A.A. Podoskin, Y.K. Kirichenko, T.A. Bagaev, I.V. Yarotskaya, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 57 (4), 288 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58409.6405
  10. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, P.S. Gavrina, Yu.K. Kirichenko, N.V. Shuvalova, N.A. Rudova, V.A. Kapitonov, A.Yu. Leshko, I.V. Shushkanov, V.V. Zolotarev, V.A. Kryuchkov, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, I.V. Yarotskaya, V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Techn. Phys. Lett., 49 (3), 231 (2023). DOI: 10.1134/S106378502390087X
  11. S. Slipchenko, M. Ladugin, A. Marmalyuk, V. Simakov, A. Podoskin, V. Golovin, P. Gavrina, V.V. Shamakhov, D. Nikolaev, V.V. Zolotarev, N. Pikhtin, T. Bagaev. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (6), 2855 (2021). DOI: 10.1109/TED.2021.3072606
  12. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (Hoboken-N. J., John Wiley \& Sons, 2012)
  13. S.O. Slipchenko, O.S. Soboleva, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 53 (1), 17 (2023). DOI:10.3103/S1068335623170153
  14. R.P. Feynman, R.B. Leighton, M. Sands. Electromagnetism and Matter, Basic Books, 2010
  15. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 50 (4), 43 (2024)
  16. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin, P.S. Kop'ev. IEEE Phot. Technol. Lett., 33 (1), 7 (2020). DOI:10.1109/LPT.2020.3040063

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme