Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 3 » Статья стр. 161
<<<>>>
Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
Russian Science Foundation (RSF) , 22-79-10159
Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1,2, Светогоров В.Н.3, Яроцкая И.В.3, Ладугин М.А.3, Мармалюк А.А.3, Симаков В.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
3"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2024 г.
Принята к печати: 6 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
PDF версия
Рассмотрены токовые ключи на основе InP/AlInGaAs/InGaAsP-гетероструктур тиристорного типа, предназначенные для создания импульсных лазерных излучателей наносекундных длительностей на длину волны 1400-1600 нм. Для образцов токовых ключей с размером анодного контакта 200x250 мкм и двумя управляющими контактами 200x250 мкм продемонстрированы возможности получения токовых импульсов длительностью 3-5 нс и амплитудой до 6-8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, гетероструктура, лазерный излучатель.
  1. V. Molebny, P.F. McManamon, O. Steinvall, T. Kobayashi, W. Chen. Opt. Eng., 56 (3), 031220 (2017). DOI: 10.1117/1.OE.56.3.031220
  2. J. Rapp, J. Tachella, Y. Altmann, S. McLaughlin, V.K. Goyal. IEEE Signal Proc. Mag., 37 (4), 62 (2020). DOI: 10.1109/MSP.2020.2983772
  3. J.A. Curcio, C.C. Petty. JOSA, 41 (5), 302 (1951). DOI: 10.1364/JOSA.41.000302
  4. J. Glaser. IEEE Power Electron. Mag., 4 (1), 25 (2017). DOI: 10.1109/MPEL.2016.2643099
  5. A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, V.V. Shamakhov, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.A. Klimov, S.V. Zazulin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 53 (1), 1 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623170104
  6. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, M.G. Rastegaeva, N.V. Voronkova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 33 (1), 11 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3040026
  7. S. Vainshtein, V. Zemlyakov, V. Egorkin, A. Maslevtsov, A. Filimonov. IEEE Trans. Pover Electron., 34 (4), 3689 (2018). DOI: 10.1109/TPEL.2018.2853563
  8. I. Prudaev, S. Vainshtein, Maksim G. Verkholetov, V. Oleinik, V. Kopyev. IEEE Ttans. Electron. Dev., 68 (1), 57 (2020). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
  9. A. Knigge, A. Klehr, H. Wenzel, A. Zeghuzi, J. Fricke, A. Maab dorf, A. Liero, G. Trankle. Semicond. Sci. Technol., 35 (6), 065016 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab8397
  10. N. Ammouri, H. Christopher, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, A. Maassdorf, H. Wenzel, A. Knigge. Electron. Lett., 59 (1), 1 (2022). DOI: 10.22541/au.166520352.25121396/v1
  11. S. Slipchenko, A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N. Pikhtin, I. Tarasov, T. Bagaev, M. Ladugin, A. Marmalyuk, A. Padalitsa, V. Simakov. IEEE Phot.Techn. Lett., 27 (3), 307 (2014). DOI: 10.1109/LPT.2014.2370064
  12. T. Bagaev, M. Ladugin, A. Padalitsa, A. Marmalyuk, Y. Kurnyavko, A. Lobintsov, A.I. Danilov, S. Sapozhnikov, V.V. Krichevskii, M.V. Zverkov, V. Konyaev, V. Simakov, S. Slipchenko, A. Podoskin, N. Pikhtin. Quant. Electron., 49 (11), 1001 (2020). DOI: 10.1070/qel17104
  13. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, P.S. Gavrina, Yu.K. Kirichenko, N.V. Shuvalova, N.A. Rudova, V.A. Kapitonov, A.Yu. Leshko, I.V. Shushkanov, V.V. Zolotarev, V.A. Kryuchkov, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, I.V. Yarotskaya, V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Techn. Phys. Lett., 49 (3), 231 (2023). DOI: 10.1134/S106378502390087X
  14. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (Hoboken--N.J., John Wiley \& Sons, 2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme