Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора
Жидяев К.С.
1, Чигинева А.Б.
1, Байдусь Н.В.
1, Самарцев И.В.
1, Кудрин А.В.
1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: zhidyaev@nifti.unn.ru, chigineva@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, samartsev@nifti.unn.ru, kudrin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 19 марта 2024 г.
Принята к печати: 19 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
Изготовлен и экспериментально исследован GaAs-тиристор с полосковой геометрией мез. Показано, что изменение топологии сильно легированного p-эмиттера и анодного омического контакта приводит к повышению величины и уменьшению разброса напряжения переключения образцов, а также к снижению основного тока в закрытом состоянии. Ключевые слова: тиристоры, мезаструктура, арсенид галлия, напряжение переключения, основной ток в закрытом состоянии.
- М.В. Лебедев. ФТП, 54 (7), 587 (2020)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, M.G. Rastegaeva, N.V. Voronkova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Photon. Technol. Lett., 33 (1), 11 (2021)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, V.S. Golovin, D.N. Romanovich, V.A. Kapitonov, A.S. Kazakova, K.V. Bakhvalov, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (6), 2855 (2021)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, P.S. Gavrina, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Trans. Electron Dev., 67 (1), 193 (2020)
- К.С. Жидяев, С.М. Некоркин, Н.В. Байдусь, А.Б. Чигинева, И.В. Самарцев, А.В. Крюков, В.А. Токарев, Д.И. Баклашов. Матер. XXVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н.Новгород, Россия, 2022) т. 2, с. 784
- А. Б. Чигинева, Н.В. Байдусь, К.С. Жидяев, С.М. Некоркин, И.В. Самарцев. Матер. XV Росс. конф. по физике полупроводников (Н.Новгород, Россия, 2022) с. 385
- М. Бонтарюк, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова. ФТП, 33 (6), 716 (1999)
- П.С. Агаларзаде, А.И. Петрин, С.О. Изидинов. Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n-перехода (М., Сов. радио, 1978) гл. 2, с. 32, 54
- А.Б. Чигинева, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, К.С. Жидяев, В.Е. Котомина, И.В. Самарцев. ФТП, 56 (1), 134 (2022)
- В. Герлах. Тиристоры (М., Энергоатомиздат, 1985) гл. 1, с. 43. [Пер. с нем.: W. Gerlach. Thyristoren (Heidelberg, Springer Verlag, 1981)]
- Н.М. Лебедева, Н.Д. Ильинская, П.А. Иванов. ФТП, 54 (2), 207 (2020)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 2, с. 111. [Пер. с англ.: S. Sze. Physics of Semiconductor Devices. 2nd edn (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, 1981)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
