Влияние примесей на излучательную рекомбинацию через центры EL2 в монокристаллах арсенида галлия
Литвинова М.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Изучена природа влияния атомов кадмия и селена на изменение квантовой эффективности излучения, индуцируемого дефектами EL2 в монокристаллах арсенида галлия. Использовалась сравнительная методика диффузии примеси в условиях вакуума и атмосферы мышьяка. Установлено, что характер и степень изменения квантовой эффективности излучения определяются вакансионным составом кристаллов и обусловлены вероятностью формирования комплексов EL2-примесь.
- К.Д. Глинчук, В.И. Горошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992)
- И.И. Показной, Ф.С. Шишияну, И.М. Тигиняну, В.П. Никифоров, В.П. Шонтя. ФТП, 22, 1108 (1988)
- K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, F.M. Vorobkalo. Cryst. Res. Technol., 31, 1045 (1996)
- P.W. Yu, D.S. Wallers. Appl. Phys. Lett., 41, 863 (1982)
- T. Kazuno, Y. Sawada, T.Y. Yokoyama. Jap. J. Appl. Phys., 25, L878 (1986)
- М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (М., Металлургия, 1974)
- Ф.С. Шишияну. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах (Кишенев, Штиинца, 1978)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986)
- В.В. Воронков, А.Ю. Большева, Р.И. Глориозова, Л.И. Колесник, О.Г. Столяров. Кристаллография, 32, 208 (1987)
- K.M. Luken, R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 79, 1388 (1996)
- N.G. Ainsle, J.F. Woods. J. Appl. Phys., 35, 1469 (1963)
- A. Mircea, A. Mitonneay, L. Mollan, A. Briere. Appl. Phys., 11, 153 (1976)
- K.-H. Wietzke, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth. Mater. Sci. Forum Vols. Switherland, 1061 (1995)
- S.A. Goodman, F.K. Koschnick, C. Weber, J.-M. Spaeth, F.D. Auret. Sol. St. Commun., 110, 593 (1999)
- Q.M. Zhang, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 47, 1667 (1993)
- H.E. Ruda, Q. Liu, M. Ozawa, S. Zukotynski, J.M. Parsey, T.J.O'Neill, D.J. Lockwood, B. Lent. J. Phys. D: Appl. Phys., 25, 1538 (1992)
- R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 5166 (1995)
- Чао Чень, М.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)
- E.R. Weber, H. Ennet, V. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider, T. Wosinski. J. Appl. Phys., 53, 6140 (1982)
- D.E. Holmes, R.T. Chen, K.R. Elliott, G. Kirkparrick. Appl. Phys. Lett., 40, 46 (1982)
- J. Lagowski, H.C. Gatos, J.M. Parsey, K. Wada, M. Kaminska, W. Walakiewcz. Appl. Phys. Lett., 40, 342 (1982)
- D.W. Fischer. Phys. Rev. B, 37, 2968 (1988)
- Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, Suk-Ki Min. Phys. Rev. B, 39, 10 376 (1989)
- M. Tajima. Jap. J. Appl. Phys., 26, L885 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук