Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и свойства монокристаллов ZnFe₂S₄ и структур на их основе

Вайполин А.А.¹, Николаев Ю.А.¹, Полушина И.К.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Fernelius N.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA

Поступила в редакцию: 14 октября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен и синтезирован новый класс тройных полупроводниковых соединений. Впервые выращены монокристаллы этого класса ZnFe₂S₄ и изучены структурные, электрические и оптические свойства. Созданы первые фоточувствительные структуры и исследованы их фотоэлектрические характеристики. Сделан вывод о возможности практического применения гетероструктур и поверхностно-барьерных структур на основе монокристаллов ZnFe₂S₄.

Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
Ф.П. Кесаманлы, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1761 (1993)
Ю.В. Рудь. ФТП, 28, 1105 (1994)
B.H. Bairamov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. MRS Bull., 23, 41 (1998)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1973)
Ю.В. Рудь, М. Сергинов. ФТП, 19, 1718 (1985)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1761 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель