"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15-30 мкм
Министерство науки и высшего образования РФ, грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук, МК-1430.2020.2
Российский Научный Фонд, RSF-ANR Grant, 20-42-09039
Румянцев В.В. 1,2, Разова А.А. 1,2, Козлов Д.В. 1,2, Фадеев М.А. 1, Маремьянин К.В.1, Уточкин В.В. 1, Михайлов Н.Н.3, Дворецкий С.А.3, Гавриленко В.И. 1,2, Морозов С.В. 1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru, annara@ipmras.ru, dvkoz@ipm.sci-nnov.ru, fadeev@ipmras.ru, kirillm@ipm.sci-nnov.ru, xenonum@bk.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru, gavr@ipmras.ru, more@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2021 г.
Принята к печати: 30 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Гетероструктуры с квантовыми ямами Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe с малой шириной запрещенной зоны в последние годы активно исследуются как в связи с тематикой топологических изоляторов, так и с точки зрения их применения в оптоэлектронике терагерцового диапазона. В данной работе исследуются спектры фотопроводимости и фотолюминесценции гетероструктуры с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe с шириной запрещенной зоны 40 мэВ. Кроме межзонных переходов, идентифицированы особенности спектров, связанные с резонансными состояниями акцепторов. Обсуждаются возможности использования исследуемых структур для создания межзонных излучателей на длине волны ~30 мкм, недоступной для существующих квантово-каскадных лазеров. Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, резонансные состояния, акцепторы, фотолюминесценция.
  1. L. Lunczer, P. Leubner, M. Endres, V.L. Muller, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 123 (4), 047701 (2019)
  2. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. JETP Lett., 106 (3), 162 (2017)
  3. M.V. Durnev, S.A. Tarasenko. Phys. Rev. B, 93 (7), 075434 (2016)
  4. C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, L.W. Molenkamp, J. Maciejko, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Nature Phys., 8 (6), 485 (2012)
  5. S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Mater., 5 (3), 035503-1 (2017)
  6. M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P. De Natale. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
  7. M.S. Vitiello, A. Tredicucci. Adv. Phys. X, 6 (1), 1893809 (2021)
  8. V. Rumyantsev, M. Fadeev, V. Aleshkin, N. Kulikov, V. Utochkin, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, S. Pavlov, H.-W. Hubers, V. Gavrilenko, C. Sirtori, Z.F. Krasilnik, S. Morozov. Phys. Status Solidi B, 256 (6), 1800546 (2019)
  9. V.V. Rumyantsev, A.A. Razova, L.S. Bovkun, D.A. Tatarskiy, V.Y. Mikhailovskii, M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, T.A. Uaman Svetikova, K.V. Maremyanin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.G. Remesnik, V.Y. Aleshkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, M. Potemski, M. Orlita, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Nanomaterials, 11 (7), 1855 (2021)
  10. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.S. Zholudev, A.A. Dubinov, V.Y. Aleshkin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, F. Teppe. ACS Photonics, 8 (12), 3526 (2021)
  11. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (North-Holland, Elsevier Science Publishers, 1991)
  12. D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
  13. V.A. Shvets, N.N. Mikhailov, D.G. Ikusov, I.N. Uzhakov, S.A. Dvoretskii. Opt. Spectrosc., 127 (2), 340 (2019)
  14. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  15. K. Jozwikowski, M. Kopytko, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 112 (3), 033718 (2012)
  16. D. Donetsky, G. Belenky, S. Svensson, S. Suchalkin. Appl. Phys. Lett., 97 (5), 052108 (2010)
  17. C.H. Grein, M.E. Flatte, Y. Chang. J. Electron. Mater., 37 (9), 1415 (2008)
  18. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35 (6), 1369 (2006)
  19. W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2 (4), 041303 (2015)
  20. A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
  21. V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32 (9), 095007 (2017)
  22. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3 (1), 120 (2006)
  23. J. Shao, W. Lu, X. Lu, F. Yue, Z. Li, S. Guo, J. Chu. Rev. Sci. Instrum., 77 (6), 063104 (2006)
  24. E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72 (3), 035321 (2005)
  25. V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov. J. Phys. Condens. Matter, 31 (42), 425301 (2019)
  26. Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов. ФТП, 53 (9), 1224 (2019)
  27. V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28 (12), 125007 (2013)
  28. М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, С.В. Морозов. ФТП, 55 (10), 861 (2021)
  29. А.А. Дубинов, В.В. Румянцев, М.А. Фадеев, В.В. Уточкин, С.В. Морозов. ФТП, 55 (5), 455 (2021)
  30. V.Y. Aleshkin, V.V. Rumyantsev, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, G. Alymov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys., 129 (13), 133106 (2021)
  31. В.В. Румянцев, Н.С. Куликов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, А.В. Иконников, А.С. Казаков, М.С. Жолудев, В.Я. Алешкин, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 52 (11), 1263 (2018)
  32. V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, A.V. Antonov, D.A. Ryzhov, D.I. Kuritsin, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasilnik, C. Sirtori, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov. J. Infrared, Millim. Terahertz Waves, 41 (7), 750 (2020)
  33. Z. Loghmari, M. Bahriz, A. Meguekam, R. Teissier, A.N. Baranov. Electron. Lett., 55 (3), 144 (2019)
  34. A.N. Baranov, M. Bahriz, R. Teissier. Opt. Express, 24 (16), 18799 (2016)
  35. В.В. Уточкин, В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, Н.С. Куликов, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.А. Разова, С.В. Морозов. ФТП, 54 (10), 1169 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.