"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути
Козлов Д.В.1,2, Жолудев М.С.1,2, Румянцев В.В.1,2, Иконников А.В.3, Pavlov S.4, Hubers H.-W.4,5, Морозов С.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4Institute of Optical Sensor Systems German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
5Institut fur Physik, Humboldt-Universitat zu Berlin, Berlin, Germany
Email: dvkoz@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2021 г.
Принята к печати: 30 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Выполнен анализ положения уровня Ферми в объемном HgCdTe с долей кадмия от 19 до 22% в зависимости от температуры для различных концентраций вакансий ртути, формирующих двухзарядные акцепторы с энергиями ионизации 11 и 21 мэВ для нейтрального и однократно заряженного состояний соответственно. Рассчитана концентрация свободных носителей в зонах при различных температурах, а также доля акцепторных центров в различных зарядовых состояниях. Полученные результаты объясняют быстрое температурное гашение фотопроводимости, обусловленной вакансиями ртути, и показывают, что в материале p-типа в зависимости проводимости от температуры может возникать участок экспоненциального роста с характерной энергией значительно больше половины ширины запрещенной зоны при нулевой температуре, как это можно было бы ожидать из закона действующих масс для собственного полупроводника. Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, уровень Ферми, двухзарядные акцепторы.
  1. W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2 (4), 041303 (2015)
  2. A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20 (3), 279 (2012)
  3. A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
  4. V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Y.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE, 5136, 381 (2003)
  5. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  6. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3 (1), 120 (2006)
  7. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
  8. C. Brune, C.X. Liu, E.G. Novik, E.M. Hankiewicz, H. Buhmann, Y.L. Chen, X.L. Qi, Z.X. Shen, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 106 (12), 126803 (2011)
  9. B. Buttner, C.X. Liu, G. Tkachov, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Nature Physics, 7 (5), 418 (2011)
  10. F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, C. Consejo, A.M. Kadykov, W. Desrat, D. But, W. Knap, J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, M. Orlita, Z. Jiang, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii. Nature Commun., 7, 12576 (2016)
  11. D.B. But, M. Mittendorff, C. Consejo, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, C. Faugeras, S. Winnerl, M. Helm, W. Knap, M. Potemski, M. Orlita. Nature Photonics, 13 (11), 783-787 (2019)
  12. M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10 (3), 233 (2014)
  13. G. Alymov, V. Rumyantsev, S. Morozov, V. Gavrilenko, V. Aleshkin, D. Svintsov. ACS Photonics, 7 (1), 98 (2020)
  14. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.S. Zholudev, A.A. Dubinov, V.Y. Aleshkin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, F. Teppe. ACS Photonics, 8 (12), 3526 (2021)
  15. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35 (6), 1369 (2006)
  16. J. Shao, X. Lu, S. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80 (15), 5125 (2009)
  17. X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110 (4), 043503 (2011)
  18. F. Gemain, I.C. Robin, G. Feuillet. J. Appl. Phys., 114 (21), 213706 (2013)
  19. K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov, A.I. Izhnin, I.I. Izhnin, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 49 (3), 367 (2015)
  20. M.V. Yakushev, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, D.V. Marin, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov. Phys. Status Solidi C, 13 (7-9), 469 (2016)
  21. S.G. Pavlov, L.M. Portsel, V.B. Shuman, A.N. Lodygin, Y.A. Astrov, N.V. Abrosimov, S.A. Lynch, V.V. Tsyplenkov, H.W. Hubers. Phys. Rev. Mater., 5 (11), 114607 (2021)
  22. Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Ф. Теппе. ЖЭТФ, 154, 1226 (2018)
  23. Д.В. Козлов, Т.А. Уаман Светикова, А.В. Иконников, В.В. Румянцев, А.А. Разова, М.С. Жолудев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 113 (6), 399 (2021)
  24. V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Techn., 32 (9), 095007 (2017)
  25. П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38 (10), 1207 (2004)
  26. J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou, B. Toulouse, R. Legros, A. Lusson. J. Appl. Phys., 67 (10), 6454 (1990)
  27. P.S. Wijewarnasuriya, M. Boukerche, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 67 (2), 859 (1990).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.