"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость монокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe, легированного редкоземельными элементами, и многодиапазонный фотоприемник света на их основе
Абдинов А.Ш.1, Бабаева Р.Ф.2
1Бакинский Государственный Университет, Баку, Республика Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Email: abdinov-axmed@yandex.ru, babaeva-rena@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2018 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2021 г.
Принята к печати: 15 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Экспериментально исследованы основные характеристики собственной фотопроводимости и спектры отрицательной фотопроводимости, индуцированной примесной фотопроводимости, инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в легированных редкоземельными элементами (гадолинием и диспрозием) при N=0-10-1 ат% монокристаллах p-GaSe. Показано, что нестабильность и невоспроизводимость фотоэлектрических характеристик этого полупроводника обусловлены флуктуацией электронного потенциала, связанной с наличием случайных макроскопических дефектов. Зависимость фотоэлектрических параметров и характеристик от N, а также обеспечение высокой степени их стабильности и воспроизводимости при N~10-1 ат% связаны соответствующими изменениями флуктуаций электронного потенциала и доли ковалентной связи между слоями в зависимости от N. Показана возможность создания многодиапазонного фотоприемника света со стабильными, воспроизводимыми параметрами и характеристиками на основе p-GaSe, легированного редкоземельными элементами при N=10-2-10-1 ат%. Ключевые слова: оптоэлектроника, межслойная связь, спектральное распределение, кинетика, макроскопические дефекты, матрица, стабильность, воспроизводимость.
  1. E.B. Borisenko, N.N. Kolesnikov, D.N. Borisenko, S.I. Bozhko. J. Cryst. Growth, 316 (1), 20 (2011)
  2. V.V. Atuchin, Y.M. Andreev, K.A. Kokh, G.V. Lanskii, A.V. Shaiduko, T.I. Izaak, V.A. Svetlichnyi. Proc. SPIE, 8772, 87721Q-3 (2013)
  3. P.J. Ko, A. Abderrahmane, T. Takamura, N.-H. Kim, A. Sandhu. Nanotechnol., 27 (32), 325202 (2016)
  4. Z.S. Feng, Z.H. Kang, F.G. Wu, J.Y. Gao, Y. Jiang, H.Z. Zhang, Y.M. Andreev, G.V. Lanskii, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova. Opt. Express, 16, 9978 (2008)
  5. Z.S. Rak, S.D. Mahanti, K.C. Mandal, N.C. Fernelius. Solid State Commun., 150, 1200 (2010)
  6. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 55 (4), 355 (2019). [A.Sh. Abdinov, R.F. Babaeva. Inorg. Mater., 55 (4), 355 (2019)]
  7. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Изв. вузов. Физика, 61 (729), 102 (2018). [A.Sh. Abdinov, R.F. Babaeva. Russian Phys. J., 61 (9), 1667 (2019)]
  8. A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier. Рhys. Status Solidi A, 31, 469 (1975)
  9. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 55 (8), 806 (2019). [A.Sh. Abdinov, R.F. Babaeva. Inorganic materials, 55 (8), 758 (2019)]
  10. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Наука, 1963) гл. 2, с. 37
  11. А.Ш. Абдинов, В.К. Мамедов, Эль.Ю. Салаев. ФТП, 14 (4), 754 (1980)
  12. K.A. Kokh, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, A. Kozhukhov, E.A. Maximovsky, L.D. Pokrovsky, A.R. Tsygankova, A.I. Saprykin. J. Microscopy, 256 (3), 208 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.