Экспериментально исследованы основные характеристики собственной фотопроводимости и спектры отрицательной фотопроводимости, индуцированной примесной фотопроводимости, инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в легированных редкоземельными элементами (гадолинием и диспрозием) при N=0-10^-1 ат% монокристаллах p-GaSe. Показано, что нестабильность и невоспроизводимость фотоэлектрических характеристик этого полупроводника обусловлены флуктуацией электронного потенциала, связанной с наличием случайных макроскопических дефектов. Зависимость фотоэлектрических параметров и характеристик от N, а также обеспечение высокой степени их стабильности и воспроизводимости при N~10^-1 ат% связаны соответствующими изменениями флуктуаций электронного потенциала и доли ковалентной связи между слоями в зависимости от N. Показана возможность создания многодиапазонного фотоприемника света со стабильными, воспроизводимыми параметрами и характеристиками на основе p-GaSe, легированного редкоземельными элементами при N=10^-2-10^-1 ат%. Ключевые слова: оптоэлектроника, межслойная связь, спектральное распределение, кинетика, макроскопические дефекты, матрица, стабильность, воспроизводимость.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.