"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений АIIIBV
Баженов Н.Л. 1, Мынбаев К.Д. 1,2, Семакова А.А. 1, Зегря Г.Г. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, antonina.semakova@gmail.com, zegrya@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 января 2022 г.
В окончательной редакции: 7 февраля 2022 г.
Принята к печати: 7 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Проведен детальный анализ механизмов излучательной и оже-рекомбинации в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных материалов АIIIBV. Показано, что наличие гетерограницы фундаментальным образом меняет характер данных рекомбинационных процессов относительно объемного материала, причем по-разному, в зависимости от типа гетероперехода. Представлены результаты исследования электролюминесценции светодиодных гетероструктур I и II типа на основе квантовых ям InAsSb/InAs(Sb,P). Показано, что увеличение относительной эффективности излучательной рекомбинации в гетероструктуре II типа вследствие подавления оже-рекомбинации способствует формированию интенсивного вынужденного излучения в таких гетероструктурах при низких температурах (4.2-70 K). Ключевые слова: излучательная и оже-рекомбинация, гетеропереходы I и II типа, квантовые ямы, АIIIBV, электролюминесценция.
  1. B.V. Olson, E.A. Shaner, J.K. Kim, J.F. Klem, S.D. Hawkins, M.E. Flatte, T.F. Boggess. Appl. Phys. Lett., 103, 052106 (2013)
  2. B.V. Olson, E.A. Kadlec, J.K. Kim, J.F. Klemand S.D. Hawkins, E.A. Shaner. Phys. Rev. Appl., 3, 044010 (2015)
  3. R.A. Carrasco, Ch.P. Morath, P.C. Grant, G. Ariyawansa, Ch.A. Stephenson, C.N. Kadlec, S.D. Hawkins, J.F. Klem, E.A. Shaner, E.H. Steenbergen, S.T. Schaefer, Sh.R. Johnson, P.T. Webster. J. Appl. Phys., 129, 184501 (2021)
  4. D. Kwan, M. Kesaria, E.A. Anyebe, D. Huffaker. Infr. Phys. Techol., 116, 103756 (2021)
  5. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58 (7), 4039 (1998)
  6. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  7. А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21 (5), 866 (1987)
  8. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
  9. Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109 (2), 615 (1996)
  10. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67 (12), 2681 (1995)
  11. J.R. Meyer, C.L. Canedy, M. Kim, C.S. Kim, C.D. Merritt, W.W. Bewley, I. Vurgaftman. IEEE J. Quant. Electron., 57 (5), 1 (2021)
  12. Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря. ФТП, 34 (4), 462 (2000)
  13. G.G. Zegrya, A.D. Andreev, N.A. Gun'ko, E.V. Frolushkina. Proc. SPIE, 2399, 307 (1995)
  14. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, O.I. Fitsych,·A.V. Voitsekhovskii, D.I. Gorn, A.A. Semakova, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, G.G. Zegrya. Appl. Nanosci., 9 (5), 617 (2019)
  15. K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, A.A. Semakova, E.V. Bykhanova, N.L. Bazhenov. Opto-Electron. Rev., 25, 209 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.