"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения
Марков Л.К. 1, Павлюченко А.С. 1, Смирнова И.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru, alexey.pavluchenko@gmail.com, irina@quantum.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

Исследована возможность создания наноструктурированных просветляющих покрытий на основе ZnO. Изучена зависимость структурных особенностей пленки от температуры нагрева подложки в процессе нанесения легированного алюминием материала оксида цинка. Показано, что изменением одного параметра, температуры подложки при нанесении материала, в диапазоне 20-600oC невозможно достичь требуемого структурирования пленки. С этой целью предложен подход, заключающийся в предварительном нанесении слоя Sn нанометровой толщины с последующим прогревом подложки до температуры нанесения основного слоя материала. Оптимизация режимов нанесения покрытия привела к получению среды, состоящей из большого количества нитевидных кристаллов с поперечными размерами в десятки нанометров и длиной в сотни нанометров, ориентированных преимущественно перпендикулярно подложке. Показано, что градиентный характер изменения плотности вещества, а следовательно, эффективного показателя преломления в направлении, перпендикулярном плоскости подложки, обеспечивает просветляющие свойства покрытия в широком диапазоне длин волн излучения и при распространении его в различных направлениях. Ключевые слова: оксид цинка, прозрачные проводящие оксиды, просветляющие покрытия, электронно-лучевое испарение, наноструктурированные пленки.
  1. R.N. Chauhan, R.S. Anand, J. Kumar. Phys. Status Solidi, 211, 2514 (2014)
  2. W.S. Leung, Y.C. Chan, S.M. Lui. Microelectron. Eng., 101, 1 (2013)
  3. X.Y. Xue, Y.J. Chen, Y.G. Liu, S.L. Shi, Y.G. Wang, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett., 88, 201907 (2006)
  4. A.J. Chiquito, A.J.C. Lanfredi, E.R. Leite. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 4 (2008)
  5. H.K. Yu, W.J. Dong, G.H. Jung, J.L. Lee. ACS Nano, 5, 8026 (2011)
  6. R. Rakesh Kumar, V. Gaddam, K. Narasimha Rao, K. Rajanna. Mater. Res. Express, 1, 35008 (2014)
  7. G.O. Setti, D.P. De Jesus, E. Joanni. Mater. Res. Express, 3, 105021 (2016)
  8. A.L. Beaudry, R.T. Tucker, J.M. Laforge, M.T. Taschuk, M.J. Brett. Nanotechnology, 23, 105608 (2012)
  9. G. Meng, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Yoshida, M. Kanai, A. Klamchuen, F. Zhuge, Y. He, S. Rahong, X. Fang, S. Takeda, T. Kawai. J. Am. Chem. Soc., 135, 7033 (2013)
  10. H.K. Yu, J.L. Lee. Sci. Rep., 4, 1 (2014)
  11. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, С.И. Павлов. ФТП, 52, 1228 (2018)
  12. M.J. Park, C.U. Kim, S.B. Kang, S.H. Won, J.S. Kwak, C.-M. Kim, K.J. Choi. Adv. Opt. Mater., 5, 1600684 (2017)
  13. Z. Gong, Q. Li, Y. Li, H. Xiong, H. Liu, S. Wang, Y. Zhang, M. Guo, F. Yun. Appl. Phys. Express, 9, 082102 (2016)
  14. D.I. Markina, A.P. Pushkarev, I.I. Shishkin, F.E. Komissarenko, A.S. Berestennikov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, L.K. Markov, M. Vengris, A.A. Zakhidov, S.V. Makarov. Nanophotonics, 9, 3977 (2020)
  15. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, М.В. Меш, Д.С. Колоколов. ФТП, 55, 365 (2020)
  16. E. Bacaksiz, S. Aksu, S. Yilmaz, M. Parlak, M. Altunba s. Thin Sol. Films, 518, 4076 (2010)
  17. P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H.J. Choi. Adv. Funct. Mater., 12, 323 (2002)
  18. W.-S. Lee, S.-H. Kwon, H.-J. Choi, K.-G. Im, H. Lee, S. Oh, K.-K. Kim. Micromachines, 11, 346 (2020)
  19. Y. Zhang, M.K. Ram, E.K. Stefanakos, D.Y. Goswami. J. Nanomater., 2012, 22 (2012)
  20. S. Oh, K. Ha, S.H. Kang, G.J. Yohn, H.J. Lee, S.J. Park, K.K. Kim. Nanotechnology, 29, 15301 (2018)
  21. J.L. Murray. Bull. Alloy Phase Diagrams, 4, 55 (1983)
  22. J.-H. Bae, K. Shin, J.-H. Lee, M.-Y. Kim, C.-W. Yang. Appl. Microsc., 45, 89 (2015)
  23. J. Drapala, G. Kostiukova, M. Losertova. IOP Conf. Ser.: Materials Science and Engineering (Institute of Physics Publishing, November 23, 2017) v. 266, p. 012002
  24. A. Mallick, D. Basak. Appl. Surf. Sci., 410, 540 (2017)
  25. Z. Jin, L. Qiao, C. Guo, Z. He, L. Liu, M. Rong. Optik (Stuttg.), 127, 1988 (2016)
  26. X. Tian, Z. Pan, H. Zhang, H. Fan, X. Zeng, C. Xiao, G. Hu, Z. Wei. Ceram. Int., 39, 6497 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.