"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
Швец В.А.1,2, Марин Д.В.1, Азаров И.А.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: basi5353@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

Разработана эллипсометрическая методика, позволяющая наблюдать за изменениями состава и температуры слоeв кадмий-ртуть-теллур в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Методика опробована для диагностики состава и температуры при выращивании слоeв в режиме постоянной мощности нагревателя подложки и при еe резком изменении. Установлено, что падение мощности и последующее уменьшение температуры роста сопровождается также монотонным уменьшением состава. В случае постоянной мощности нагревателя наблюдается незначительное увеличение температуры образца при практически неизменном составе растущего слоя. Ключевые слова: эллипсометрия, кадмий-ртуть-теллур, HgCdTe, состава, in situ контроль температуры, эпитаксиальный рост.
  1. M.J. Bevan, L.A. Almeida, W.M. Duncan, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 26 (6), 502 (1997)
  2. B. Johs, C. Herzinger, J.H. Dinan, A. Cornfeld, J.D. Benson, D. Doctor, G. Olson, I. Ferguson, M. Pelczynski, P. Ghow, C.H. Kuo, S. Johnson. Thin Sol. Films, 313-314, 490 (1998)
  3. D. Edwall, J. Phillips, D. Lee, J. Arias. J. Electron. Mater., 30 (6), 643 (2001)
  4. T.J. De Lion, G.L. Olson, J.A. Roth, J.E. Jensen, A.T. Hunter, M.D. Jack, S.L. Bailey. J. Electron. Mater., 31 (7), 688 (2002)
  5. K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29 (7), 931 (1994)
  6. К.К. Свиташeв, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
  7. H. Arvin, D.E. Aspnes. J. Vac. Sci. Technol. A, 2 (3), 1316 (1984)
  8. L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29 (12), 6752 (1984)
  9. В.А. Швец, И.А. Азаров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, М.В. Якушев, Д.В. Марин, Н.Н. Михайлов, В.Д. Кузьмин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий. ПТЭ, N 6, 87 (2016)
  10. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Y.G. Sidorov, A. Latyshev. J. Cryst. Growth, 274, 339 (2005)
  11. П.А. Бахтин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия, N 2, 83 (2002)
  12. G.L. Olson, J.A. Roth, P.D. Brewer, R.D. Rajavel, D.M. Jamba, J.E. Jensen, B. Johs, J. Electron. Mater., 28 (6), 749(1999)
  13. J.A. Roth, T.J. De Lyon, M.E. Adel. In: Proc. 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society (Boston, MA, USA) v. 324, p. 353
  14. T.J. de Lyon, J.A. Roth, D.H. Chow. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 329 (1997)
  15. T.J. De Lyon, R.D. Rajavel, J.A. Roth, J.E. Jensen. In: Handbook of Infrared Detection Technologies, ed. by M. Henini and M. Razegh (Elsevier Science, 2002) p. 309
  16. M. Daraselia, C.H. Grein, R. Rujirawat B. Yang, S. Sivananthan, F. Aqariden, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 28, 743(1999)
  17. И.А. Азаров, В.А. Швец, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.В. Рыхлицкий. Автометрия, 53 (6), 111 (2017)
  18. R. Schlereth, J. Hajer, L. Furst, S. Schreyeck, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. J. Cryst. Growth, 537, 125602 (2020)
  19. В.А. Швец, И.А. Азаров, Д.В. Марин, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий. ФТП, 53 (1), 137 (2019)
  20. D.V. Marin, V.A. Shvets, I.A. Azarov, M.V. Yakushev, S.V. Rykhlitskii. Infrared Phys. Technol., 116, 103793 (2021)
  21. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
  22. Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
  23. В.А. Швец, Д.В. Марин, В.Г. Ремесник, И.А. Азаров, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий. Опт. и спектр., 128 (12), 1815 (2020)
  24. А.А. Бабенко, Д.В. Брунев, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев. Неорг. матер., 44 (4), 431 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.