Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт
1Институт естественных наук, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20.2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной kp-модели.
- L.G. Gerchikov, A. Subashiev. Phys. Status Solidi B, 160, 443 (1990)
- B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
- М.И. Дьяконов, А.В. Хаецкий. ЖЭТФ, 82, 1584 (1982) [Sov. Phys. JETP, 55, 917 (1982)]
- G. Landwehr, J. Gerschutz, S. Oehling, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, C.R. Becker. Physica E, 6, 713 (2000)
- X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 65, 045 324 (2002)
- K. Ortner, X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 66, 075 322 (2002)
- X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 69, 115 340 (2004)
- M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
- G.M. Gusev, Z.D. Kvon, O.A. Shegai, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.C. Portal. Phys. Rev. B, 84, 121 302 (2011)
- Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, E.G. Novik, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, I.O. Parm, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. B, 83, 193 304 (2011)
- G. Tkachov, E.M. Hankiewicz. Phys. Rev. B, 84, 035 444 (2011)
- J.W. Nicklas, J.W. Wilkins. Phys. Rev. B, 84, 121 308 (2011)
- P.M. Ostrovsky, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin. Phys. Rev. B, 86, 125 323 (2012)
- M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7, 534 (2012)
- А.А. Грешнов, Ю.Б. Васильев, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Васильев, Д. Смирнов. Письма ЖЭТФ, 97, 108 (2013)
- V.A. Larionova, A.V. Germanenko. Phys. Rev. B, 55, 13 062 (1997)
- X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001)
- E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035 321 (2005)
- Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
- M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. Rossler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. Lovold. Phys. Rev. B, 57, 14 772 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
