Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифроктометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность.
- S. Hofmann. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
- P.F. Fewster. X-Ray scattering from semiconductors (London, Imperial College Press, 2000)
- D. Marseilhan, J.P. Barnes, F. Fillot, J.M. Hartmann, P. Holliger. Appl. Surf. Sci., 255, 1412 (2008)
- M. Gavelle, E. Scheid, F. Cristiano, C. Armand, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, A. Halimaoui, P.-F. Fazzini, O. Marcelot. J. Appl. Phys., 102, 074 904 (2007)
- K.I. Schiffmann, M. Vergohl. Surf. Interface Anal., 45, 490 (2013)
- M.G. Dowsett, R.D. Barlow, P.N. Allen. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 186 (1994)
- V. Chia, G. Mount, M. Edgell, C. Magee. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 2345 (1999)
- W. Vandervorst. Appl. Surf. Sci., 255, 805 (2008)
- Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
- Diffrac. Leptos 7. User Manual (Karlsruhe, Bruker AXS GmbH, 2009)
- Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 6, 93 (2011)
- Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин. ФТП, 46, 1419 (2012)
- Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 7, 26 (2012)
- П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. ФТП, 46, 1515 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
