"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
Юнин П.А.1, Дроздов Ю.Н.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Лобанов Д.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифроктометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность.
  • S. Hofmann. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
  • P.F. Fewster. X-Ray scattering from semiconductors (London, Imperial College Press, 2000)
  • D. Marseilhan, J.P. Barnes, F. Fillot, J.M. Hartmann, P. Holliger. Appl. Surf. Sci., 255, 1412 (2008)
  • M. Gavelle, E. Scheid, F. Cristiano, C. Armand, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, A. Halimaoui, P.-F. Fazzini, O. Marcelot. J. Appl. Phys., 102, 074 904 (2007)
  • K.I. Schiffmann, M. Vergohl. Surf. Interface Anal., 45, 490 (2013)
  • M.G. Dowsett, R.D. Barlow, P.N. Allen. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 186 (1994)
  • V. Chia, G. Mount, M. Edgell, C. Magee. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 2345 (1999)
  • W. Vandervorst. Appl. Surf. Sci., 255, 805 (2008)
  • Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
  • Diffrac. Leptos 7. User Manual (Karlsruhe, Bruker AXS GmbH, 2009)
  • Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 6, 93 (2011)
  • Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин. ФТП, 46, 1419 (2012)
  • Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 7, 26 (2012)
  • П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. ФТП, 46, 1515 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.