"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Разработан новый метод твердофазного синтеза эпитаксиальных слоев, когда подложка сама участвует в химической реакции, а продукт реакции растет не на поверхности подложки, как в традиционных методах эпитаксии, а внутри нее. Такой метод открывает новые возможности для релаксации упругой энергии за счет механизма, действующего только в анизотропных средах, а именно притяжения точечных дефектов, образующихся в процессе химической реакции. Притягивающиеся точечные центры дилатации образуют относительно устойчивые образования --- дилатационные диполи, которые существенно уменьшают общую упругую энергию. Показано, что в кристаллах с кубической симметрией наиболее выгодным расположением диполей является направление <111>. Теория апробирована на примере роста пленок карбида кремния SiC на подложках кремния Si (111) за счет химической реакции с монооксидом углерода CO. Выращены высококачественные монокристаллические пленки SiC-4H толщиной до 100 нм на Si (111). Эллипсометрический анализ показал, что оптические константы пленок SiC-4H являются существенно анизотропными. Это вызвано не только гексагональностью решетки, но и небольшим количеством атомов углерода, ~ (2-6)%, оставшихся в пленке из-за дилатационных диполей. Показано, что оптические константы углеродной примеси соответствуют сильно анизотропному пиролитическому углероду HOPG.
  • S.J. Pearton. Wide Bandgap Semiconductors: Growth, Processing and Applications (William Andrew Publ./Noges, N. Y., 2000)
  • Jianwei Wan. Heteroepitaxy of Wide Band Gap Semiconductors on Silicon Substrates (VDM Verlag, 2009)
  • L. Liu, J.H. Edgar. Mater. Sci. Engin., R37, 61 (2002)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  • R. Siems. Phys. Status Solidi, 30, 645 (1968)
  • J.D. Eshelby. Acta Met., 3, 487 (1955)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024 909 (2013)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444, 246 (2012)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. МТТ, N 2, 122 (2013)
  • И.М. Лифшиц, Л.Н. Розенцвейг. ЖЭТФ, 17, 783 (1947)
  • J.W. Christian. The Theory of Transformations in Metals and Alloys (Pergamon, Amsterdam, 2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.