Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование механизмов взаимодействия NO₂ и поверхности слоев нанокомпозита por-Si/SnO_x

Болотов В.В.¹, Кан В.Е.¹, Макушенко Р.К.¹, Бирюков М.Ю.¹, Ивлев К.Е.¹, Росликов В.Е.¹

¹Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 16 января 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследованы механизмы взаимодействия молекул NO₂ с поверхностью нанокомпозитов por-Si/SnO_x, полученных методами магнетронного напыления и CVD (chemical vapor deposition). Наблюдаемое увеличение концентрации свободных носителей заряда в слоях нанокомпозитов por-Si/SnO_x объясняется изменением зарядового состояния P_b-центров за счет образования нейтрального комплекса "поверхностный дефект-адсорбированная молекула NO₂" с генерацией свободного носителя заряда в объеме кристаллита. В слоях нанокомпозита, полученного методом CVD, рост концентрации свободных дырок при адсорбции NO₂ значительно менее выражен в сравнении с композитом, полученным методом магнетронного напыления, что обусловлено конкурирующим каналом взаимодействия молекул NO₂ с электронейтральными P_b-центрами.

В.В. Болотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, Ю.А. Стенькин, Р.В. Шелягин, Е.В. Князев, В.Е. Кан, И.В. Пономарева. ФТП, 45 (5), 702 (2011)
Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126 (4), 857 (2004)
A.C. Adams, F.B. Alexander, C.D. Capio, T.E. Smith. J. Electrochem. Soc., 128, 1545 (1981)
Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, Ю.В. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 38 (5), 603 (2004)
Л.А. Осминкина, Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 39 (3), 365 (2005)
E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 82 (2), 879 (1981)
О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 45 (4), 474 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель