Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии
1Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия 
2Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
-1 Представлены результаты экспериментов по измерению методом наведенной дифракционной решетки времени релаксации и коэффициента диффузии электронов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния с собственным и электронным типами проводимости при комнатной температуре. Получены значения времени релаксации электронов для этих пленок, равные 1 нс и 465 пс, и коэффициента диффузии 0.54 и 0.83 см2/с. Обнаружено, что при увеличении энергии импульсов время спада сигнала наведенной решетки сокращается.
- А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, П.А. Форш, М.В. Хенкин. ФТП, 45, 518 (2011)
- D.V. Tsu, B.S. Chao, S.R. Ovshinsky, S.J. Jones, J. Yang, S. Guha, R. Tsu. Phys. Rev. B, 63, 125 338 (2001)
- S. Muthamann, F. Kohler, R. Carius, A. Gordijn. Phys. Status Solidi A, 207, 544 (2010)
- M. Ledinsky, L. Fekete, J. Stuchlik, T. Mates, A. Fejfar, J. Kocka. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1209 (2006)
- A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao, F. Liu. J. Non-Cryst. Sol., 354, 2282 (2008)
- С.Ф. Галяутдинов, В.С. Лобков, С.А. Моисеев, И.В. Неграшов. ФТП, 35, 1428 (2001)
- N. Gedik, J. Orenstein. Optics Lett., 29 (18), (2004)
- М.Г. Севастьянов, В.С. Лобков, А.Г. Шмелев, А.В. Леонтьев, В.Л. Матухин, А.В. Бобыль, Е.И. Теруков. Сб. тр. VIII Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2012) с 34
- J.P. Woerdman. Optics Commun., 2 (5), 212 (1970)
- В.С. Лобков, С.А. Моисеев, Е.А. Штырков. Опт. и спектр., 64 (1), 79 (1988)
- S.C. Moss, J.R. Lindle, H.J. Mackey, A.L. Smirl. Appl. Phys. Lett., 39, 227 (1981)
- Thin film solar cells fabrication, characterization and applications, ed. by J. Poortmans, V. Arkhipov (Chichester, John Wiley \& Sons Ltd, 2006) p. 184
- А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.К. Кашкаров, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, П.А. Форш, М.В. Хенкин, А.В. Кукин, M. Beresna, P. Kazansky. ФТП, 46 (6), 769 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
