Вышедшие номера
Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии
Севастьянов М.Г1, Лобков В.С.2, Шмелев А.Г.2, Леонтьев А.В.2, Матухин В.Л.1, Бобыль А.В.3, Теруков Е.И.3,2, Кукин А.В.3,4
1Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия
2Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

-1 Представлены результаты экспериментов по измерению методом наведенной дифракционной решетки времени релаксации и коэффициента диффузии электронов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния с собственным и электронным типами проводимости при комнатной температуре. Получены значения времени релаксации электронов для этих пленок, равные 1 нс и 465 пс, и коэффициента диффузии 0.54 и 0.83 см2/с. Обнаружено, что при увеличении энергии импульсов время спада сигнала наведенной решетки сокращается.