Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс А - Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, 18-02-00835
Подоскин А.А.
1, Романович Д.Н.
1, Шашкин И.С.
1, Гаврина П.С.
1, Соколова З.Н.
1, Слипченко С.О.
1, Пихтин Н.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Podoskin@mail.ioffe.ru, Romanovich@mail.ioffe.ru, Shashkin@mail.ioffe.ru, Gavrina@mail.ioffe.ru, Zina.Sokolova@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2021 г.
В окончательной редакции: 18 января 2021 г.
Принята к печати: 18 января 2021 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.
Представлена оценка пороговых условий и эффективности работы полупроводникового лазерного излучателя с большим прямоугольным резонатором (1x1 мм) на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs для мощных полосковых лазеров, работающего на высокодобротных замкнутых модовых структурах. Предложены два варианта конструкции излучателей с различными характеристиками областей распространения лазерного излучения и показана возможность достижения дифференциальной эффективности, характерной для мощных полосковых лазеров, >70%. Ключевые слова: замкнутая мода, лазерная гетероструктура, AlGaAs/GaAs/InGaAs.
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (N. Y., John Wiley \& Sons, Inc., 2012)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
- А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 53 (6), 839 (2019)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 672 (2011)
- P. Blood, A.I. Kucharska, J.P. Jacobs, K. Griffiths. J. Appl. Phys., 70 (3), 1144 (1991)
- J. Stohs, D.J. Bossert, D.J. Gallant, S.R.J. Brueck. IEEE J. Quant. Electron., 37 (11) 1449 (2001)
- J. Hader, J.V. Moloney, S.W. Koch. IEEE J. Quant. Electron., 35 (12), 1878 (1999)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 682 (2011)
- А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. ФТП, 54 (5), 484 (2020)
- J. Piprek. Opt. Quant. Electron., 51 (2), 60 (2019)
- D.S. Chemla, D.A.B. Miller. J. Opt. Soc. Am. B, 2 (7), 1155 (1985)
- J.P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert. Phys. Rev. B, 43 (6), 4933 (1991)
- G. Livescu, D.A.B. Miller, D.S. Chemla, M. Ramaswamy, T.Y. Chang, N. Sauer, A.C. Gossard, J.H. English. IEEE J. Quant. Electron., 24 (8), 1677 (1988)
- S.L. Chuang, N. Peyghambarian, S. Koch. Physics of optoelectronic devices (N. Y., Wiley, 1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
