Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: more@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2020 г.
Принята к печати: 30 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.
Проведена оптимизация параметров диэлектрического волновода для лазерных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe, рассчитанных на диапазон длин волн 25-41 мкм, с точки зрения минимизации внутренних потерь. Показано, что для излучения в диапазоне длин волн 25-33.5 мкм оптимальный вариант волновода реализуется при росте лазерной HgCdTe-структуры на подложке CdTe или на подложке GaAs с толстым (15 мкм и более) буферным слоем CdTe. Для более длинноволнового излучения (диапазон длин волн 33.5-41 мкм) оптимальным решением является стравливание подложки и буферного слоя CdTe с последующей металлизацией поверхности структуры. Ключевые слова: лазерная структура, волновод, дальний инфракрасный диапазон длин волн, HgCdTe, квантовая яма.
- M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P. De Natale. Opt. Express, 23, 5167 (2015)
- R.J. Falconer, A.G. Markelz. J. Infrared Milli. Terahz. Waves, 33, 973 (2012)
- F. Castellano, A. Bismuto, M.I. Amanti, R. Terazzi, M. Beck, S. Blaser, A. Baechle, J. Faist. J. Appl. Phys., 109, 102407 (2011)
- A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68, 2267 (2005)
- D. Ushakov, A. Afonenko, R. Khabibullin, D. Ponomarev, V. Aleshkin, S. Morozov, A. Dubinov. Opt. Express, 28, 25371 (2020)
- I. Melngailis, A. Strauss. Appl. Phys. Lett., 8, 179 (1966)
- S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111, 192101 (2017)
- G. Alymov, V. Rumyantsev, S. Morozov, V. Gavrilenko, V. Aleshkin, D. Svintsov. ACS Photonics, 7, 98 (2020)
- K. Unterrainer, R. Colombelli, C. Gmachl, F. Capasso, H. Hwang, A. Sergent, D. Sivco, A. Cho. Appl. Phys. Lett., 80, 3060 (2002)
- F. Bachmann, P. Loosen, R. Poprawe. High power diode lasers. Technology and applications (N. Y., Springer, 2007)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1989)
- H.C. Casey, M.B. Panich. Heterostructure lasers (N. Y., Academic Press, 1978)
- E.D. Palik. Handbook of optical constants of solids (Orlando, Academic Press, 1985)
- J.S. Blackmore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994)
- V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, O.L. Domnina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Phys.: Condens. Matter, 30, 495301 (2018)
- V. Aleshkin, G. Alymov, A. Dubinov, V. Gavrilenko, F. Teppe. J. Phys. Commun., 4, 115012 (2020)
- K. Kapralov, G. Alymov, D. Svintsov, A. Dubinov. J. Phys.: Condens. Matter, 32, 065301 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
