Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge_28.5Pb_14.5Fe_0.5S_56.5

Кастро-Арата Р.А.¹, Грабко Г.И.^1,2, Кононов А.А.¹, Анисимова Н.И.¹, Крбал М.³, Колобов А.В.^1,4

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Забайкальский государственный университет, Чита, Россия Transbaikal State University, Chita, Russia

³Университет Пардубице, 530 02 Пардубице, Чехия University of Pardubice, Pardubice, Czech Republic

⁴Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Хигаси, Цукуба, Япония National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

Email: recastro@mail.ru

Поступила в редакцию: 18 января 2021 г.

В окончательной редакции: 25 января 2021 г.

Принята к печати: 25 января 2021 г.

Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях халькогенидной гибридной системы Ge_28.5Pb_14.5Fe_0.5S56.5. Обнаружены степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с увеличением температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с энергией активации E_a=(0.64± 0.02) эВ. Полученные результаты объясняются в рамках модели проводимости в неупорядоченных системах СВН (correlated barrier hopping). Рассчитанная доля неподеленных электронных пар указывает на то, что при введении железа материал остается в стеклообразующей области. Ключевые слова:: прыжковый механизм переноса, тонкие слои, стеклообразная гибридная система, неподеленные электронные пары.

D. Cha, H. Kim, Y. Hwang, J. Jeong, J. Kim. Appl. Optics, 51 (23), 5649 (2012)
G.E. Snopatin., V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, M.F. Churbanov. Inorg. Mater., 45 (13), 1439 (2009)
J. Charrier, M.L. Brandily, H. Lhermite, K. Michel, B. Bureau, F. Verger, V. Nazabal. Sensors Actuators B, 173, 468 (2012)
B. Zhang, W. Guo, Y. Yu, C. Zhai, S. Qi, A. Yang, L. Li, Z. Yang, R. Wang, D. Tang, G. Tao, B. Luther-Davies. J. Am. Ceram. Soc., 98 (5), 1389 (2015)
N.F. Mott. Contemp. Phys., 18 (3), 225 (1977)
M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28 (6), 355 (1972)
A.V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Tanaka, K. Tanaka. Phys. Rev. B, 55 (2), 726 (1997)
S.R. Ovshinsky. In: Insulating and Semiconducting Glasses, ed. by P. Boolchand (Wold Scientific, 2000) p. 729
A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. B, 87 (16), 165206 (2013)
J.E. Moore. Nature, 464 (7286), 194 (2010)
A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499 (7459), 419 (2013)
E. Gibney. Nature, 522 (7556), 274 (2015)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 368
S.R. Elliot. Adv. Phys., 36 (2), 135 (1987)
I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys., 18 (71), 41 (1969)
M.A. Afifi, N.A. Hegab, A.E. Bekheat. Vacuum, 46 (4), 335 (1995)
Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997) с. 422
G.A. Bordovskii, R.A. Castro. Glass Phys. Chem., 32 (3), 315 (2006)
P. Sharma, S.C. Katyal. Phys. B (Amsterdam, Neth.), 403 (19-20), 3667 (2008)
С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина. Стеклообразование (М., Наука, 1990) с. 279
L. Zhenhua. J. Non-Cryst. Sol., 127 (3), 298 (1991)
A.V. Kolobov, J. Tominaga. Chalcogenides: metastability and phase-change (Springer, 2012) p. 181

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель