"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Совета по грантам Президента Российской Федерации , гранты для молодых кандидатов наук, МК-3208.2019.8
Подоскин А.А. 1, Гаврина П.С. 1, Головин В.С. 1, Слипченко С.О. 1, Романович Д.Н. 1, Капитонов В.А.1, Мирошников И.В.1, Пихтин Н.А. 1, Багаев Т.А. 2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: Podoskin@mail.ioffe.ru, Gavrina@mail.ioffe.ru, Vsgolovin@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, Romanovich@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2021 г.
В окончательной редакции: 25 января 2021 г.
Принята к печати: 25 января 2021 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.

Работа посвящена исследованию пространственной динамики процесса включения лазера-тиристора на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонкой p-базой. Предложенная гетероструктура имела модифицированную базу с подлегированным слоем рядом с n-эмиттером, позволяющим повысить рабочие напряжения для работы в режиме генерации наносекундных длительностей. В лазер-тиристорных импульсных источниках на основе рассмотренной гетероструктуры показана значительная локализация областей протекания тока, возникающих при переключении прибора из закрытого состояния в открытое. С помощью визуализации свечения областей локализации тока проведена оценка динамики распространения включенного состояния. Также оценены предельные размеры анодного контакта, необходимые для создания импульсного токового ключа и лазерного излучателя наносекундного диапазона на его основе. Ключевые слова: лазер-тиристор, токовый шнур, локализация тока, полупроводниковые лазеры.
  1. B. Schwarz. Nature Photonics, 4 (7), 429 (2010). DOI: 10.1038/nphoton.2010.14
  2. J. Huikari, S. Jahromi, J.-P. Jansson, J. Kostamovaara. Opt. Eng., 57 (2), 1 (2018). DOI: 10.1117/1.OE.57.2.024104
  3. A. Liero, A. Klehr, A. Knigge, W. Heinrich. Eng. Res. Express, 2 (1), 015023 (2020). DOI: 10.1088/2631-8695/ab5be5
  4. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.V. Zverkov, V.P. Konyaev, Y.V. Kurniavko, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 25 (17), 1664 (2013). DOI: 10.1109/LPT.2013.2272801
  5. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 27 (3), 307 (2015). DOI: 10.1364/OE.24.016500
  6. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. Opt. Express, 24, 16500 (2016). DOI: 10.1364/OE.24.016500
  7. M.E. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. In series: Selected Topics in Electronics and Systems (World Scientific, 2005) v. 36
  8. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017). DOI: 10.1063/1.4975411
  9. E.B. Treidel, H. Christopher, O. Hilt, A. Klehr, A. Ginolas, A. Liero, J. Wurfl. Electron. Lett., 56 (20), 1084 (2020). DOI: 10.1049/el.2020.0896
  10. T. Hoffmann, A. Klehr, A. Liero, G. Erbert, W. Heinrich. Electron. Lett., 51 (1), 83 (2015). DOI: 10.1049/el.2014.3204
  11. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, D.N. Romanovich, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, I.S. Shashkin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Opt. Express, 27 (22), 31446 (2019). DOI: 10.1364/OE.27.031446

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.