Вышедшие номера
Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/n-n+-Si с барьером Шоттки
Олих О.Я.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Представлены результаты экспериментального исследования работы кремниевых диодов Шоттки в условиях ультразвукового нагружения (частота колебаний 9.6 МГц, интенсивность продольных волн до 0.7 Вт/см2). Обнаружены обратимoе акустоиндуцированнoе уменьшение высоты барьера Шоттки (до 0.13 В) и увеличение обратного тока и тока насыщения (до 60%). Показано, что ультразвук не влияет на фактор неидеальности диодов и туннельную составляющую обратного тока. Рассмотрен процесс электронного транспорта в рамках модели неоднородного барьера Шоттки и показано, что наблюдаемые эффекты могут быть связаны с акустоиндуцированной ионизацией дефектов, находящихся на границе металл-полупроводник.