"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/n-n+-Si с барьером Шоттки
Олих О.Я.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Представлены результаты экспериментального исследования работы кремниевых диодов Шоттки в условиях ультразвукового нагружения (частота колебаний 9.6 МГц, интенсивность продольных волн до 0.7 Вт/см2). Обнаружены обратимoе акустоиндуцированнoе уменьшение высоты барьера Шоттки (до 0.13 В) и увеличение обратного тока и тока насыщения (до 60%). Показано, что ультразвук не влияет на фактор неидеальности диодов и туннельную составляющую обратного тока. Рассмотрен процесс электронного транспорта в рамках модели неоднородного барьера Шоттки и показано, что наблюдаемые эффекты могут быть связаны с акустоиндуцированной ионизацией дефектов, находящихся на границе металл-полупроводник.
  1. A. El-Bahar, S. Stolyarova, A. Chack, R. Weil, R. Beserman, Y. Nemirovsky. Phys. Status Solidi A, 197 (2), 340 (2003)
  2. Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, Ф.С. Габибов, И.К. Камилов, Ф.И. Маняхин, Е.К. Наими. ФТП, 42 (3), 282 (2008)
  3. П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай. ФТП, 40 (7), 829 (2006)
  4. A. Romanyuk, P. Oelhafen, R. Kurps, V. Melnik. Appl. Phys. Lett., 90, 013 118 (2007)
  5. M. Jivanescu, A. Romanyuk, A. Stesmans. J. Appl. Phys., 107, 114 307 (2010)
  6. Е.Б. Заверюхина, Н.Н. Заверюхина, Л.Н. Лезилова, Б.Н. Заверюхин, В.В. Володарский, Р.А. Муминов. Письма ЖТФ, 31 (1), 54 (2005)
  7. О.Я. Олих. ФТП, 45 (6), 816 (2011)
  8. A. Davletova, S.Zh. Karazhanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 165 107 (2008)
  9. А.В. Сукач, В.В. Тетеркин. Письма ЖТФ, 35 (11), 67 (2009)
  10. О.Я. Олих, Т.Н. Пинчук. Письма ЖТФ, 32 (12), 22 (2006)
  11. M.B. Tagaev. УФЖ, 45 (3), 364 (2000)
  12. И.Г. Пашаев. ФТП, 46 (8), 1108 (2012)
  13. A.M. Gorb, O.A. Korotchenkov, O.Ya. Olikh, A.O. Podolian. IEEE Trans. Nucl. Sci., 57, 1632 (2010)
  14. Я.М. Олих, Н.Д. Тимочко. Письма ЖТФ, 37 (1), 78 (2011)
  15. О.Я. Олих. ФТП, 43 (6), 774 (2009)
  16. Б.Н. Заверюхин, Н.Н. Заверюхина, Р.А. Муминов, О.М. Турсункулов. Письма ЖТФ, 28 (5), 75 (2002)
  17. О.Я. Олих. УФЖ, 55 (7), 770 (2010)
  18. Э.Н. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  19. D. Gromov, V. Pugachevich. Appl. Phys. A, 59, 331 (1994)
  20. D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (New Jersey, John Wiley \& Sons, 2006), p. 158
  21. S. Zhu, R.L. Van Meirhaeghe, C. Detavernier, G.-P. Ru, B.-Z. Li, F. Cardon. Sol. St. Commun., 112, 611 (1999)
  22. M.O. Aboelfotoh. J. Appl. Phys., 66, 262 (1989)
  23. J.H. Werner, H.H. Guttler. J. Appl. Phys., 69, 1522 (1991)
  24. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13 509 (1992)
  25. I. Tascioglu, U. Aydemir, S. Alti ndal. J. Appl. Phys., 108, 064 506 (2010)
  26. N. Yi ldi ri m, K. Ejderha, A. Turut. J. Appl. Phys., 108, 114 506 (2010)
  27. M. Mamor. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 335 802 (2009)
  28. K. Sarpatwari, S.E. Mohney, O.O. Awadelkarim. J. Appl. Phys., 109, 014 510 (2011)
  29. F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri. J. Appl. Phys., 102, 113 701 (2007)
  30. H. Ikoma, T. Ishida, K. Sato, T. lshikawa. J. Appl. Phys., 73, 1272 (1993)
  31. O.A. Korotchenkov, H.G. Grimmliss. Phys.Rev. B., 52, 14 598 (1995)
  32. А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. ФТП, 40, 180 (2006)
  33. S. Kumar, Y.S. Katharria, D. Kanjilal. J. Phys. D: Appl. Phys., 41 (10), 105 105 (2008)
  34. A. Rao, S. Krishnan, G. Sanjeev, K. Siddappa. Int. J. Pure Appl. Phys., 5 (1), 55 (2009)
  35. R. Singh, S.K. Arora, D. Kanjilal. Mater. Sci. Semicond. Process., 4, 425 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.