"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/n-n+-Si с барьером Шоттки
Олих О.Я.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Представлены результаты экспериментального исследования работы кремниевых диодов Шоттки в условиях ультразвукового нагружения (частота колебаний 9.6 МГц, интенсивность продольных волн до 0.7 Вт/см2). Обнаружены обратимoе акустоиндуцированнoе уменьшение высоты барьера Шоттки (до 0.13 В) и увеличение обратного тока и тока насыщения (до 60%). Показано, что ультразвук не влияет на фактор неидеальности диодов и туннельную составляющую обратного тока. Рассмотрен процесс электронного транспорта в рамках модели неоднородного барьера Шоттки и показано, что наблюдаемые эффекты могут быть связаны с акустоиндуцированной ионизацией дефектов, находящихся на границе металл-полупроводник.
  • A. El-Bahar, S. Stolyarova, A. Chack, R. Weil, R. Beserman, Y. Nemirovsky. Phys. Status Solidi A, 197 (2), 340 (2003)
  • Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, Ф.С. Габибов, И.К. Камилов, Ф.И. Маняхин, Е.К. Наими. ФТП, 42 (3), 282 (2008)
  • П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай. ФТП, 40 (7), 829 (2006)
  • A. Romanyuk, P. Oelhafen, R. Kurps, V. Melnik. Appl. Phys. Lett., 90, 013 118 (2007)
  • M. Jivanescu, A. Romanyuk, A. Stesmans. J. Appl. Phys., 107, 114 307 (2010)
  • Е.Б. Заверюхина, Н.Н. Заверюхина, Л.Н. Лезилова, Б.Н. Заверюхин, В.В. Володарский, Р.А. Муминов. Письма ЖТФ, 31 (1), 54 (2005)
  • О.Я. Олих. ФТП, 45 (6), 816 (2011)
  • A. Davletova, S.Zh. Karazhanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 165 107 (2008)
  • А.В. Сукач, В.В. Тетеркин. Письма ЖТФ, 35 (11), 67 (2009)
  • О.Я. Олих, Т.Н. Пинчук. Письма ЖТФ, 32 (12), 22 (2006)
  • M.B. Tagaev. УФЖ, 45 (3), 364 (2000)
  • И.Г. Пашаев. ФТП, 46 (8), 1108 (2012)
  • A.M. Gorb, O.A. Korotchenkov, O.Ya. Olikh, A.O. Podolian. IEEE Trans. Nucl. Sci., 57, 1632 (2010)
  • Я.М. Олих, Н.Д. Тимочко. Письма ЖТФ, 37 (1), 78 (2011)
  • О.Я. Олих. ФТП, 43 (6), 774 (2009)
  • Б.Н. Заверюхин, Н.Н. Заверюхина, Р.А. Муминов, О.М. Турсункулов. Письма ЖТФ, 28 (5), 75 (2002)
  • О.Я. Олих. УФЖ, 55 (7), 770 (2010)
  • Э.Н. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  • D. Gromov, V. Pugachevich. Appl. Phys. A, 59, 331 (1994)
  • D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (New Jersey, John Wiley \& Sons, 2006), p. 158
  • S. Zhu, R.L. Van Meirhaeghe, C. Detavernier, G.-P. Ru, B.-Z. Li, F. Cardon. Sol. St. Commun., 112, 611 (1999)
  • M.O. Aboelfotoh. J. Appl. Phys., 66, 262 (1989)
  • J.H. Werner, H.H. Guttler. J. Appl. Phys., 69, 1522 (1991)
  • R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13 509 (1992)
  • I. Tascioglu, U. Aydemir, S. Alti ndal. J. Appl. Phys., 108, 064 506 (2010)
  • N. Yi ldi ri m, K. Ejderha, A. Turut. J. Appl. Phys., 108, 114 506 (2010)
  • M. Mamor. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 335 802 (2009)
  • K. Sarpatwari, S.E. Mohney, O.O. Awadelkarim. J. Appl. Phys., 109, 014 510 (2011)
  • F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri. J. Appl. Phys., 102, 113 701 (2007)
  • H. Ikoma, T. Ishida, K. Sato, T. lshikawa. J. Appl. Phys., 73, 1272 (1993)
  • O.A. Korotchenkov, H.G. Grimmliss. Phys.Rev. B., 52, 14 598 (1995)
  • А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. ФТП, 40, 180 (2006)
  • S. Kumar, Y.S. Katharria, D. Kanjilal. J. Phys. D: Appl. Phys., 41 (10), 105 105 (2008)
  • A. Rao, S. Krishnan, G. Sanjeev, K. Siddappa. Int. J. Pure Appl. Phys., 5 (1), 55 (2009)
  • R. Singh, S.K. Arora, D. Kanjilal. Mater. Sci. Semicond. Process., 4, 425 (2001).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.