Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48783.9223

Переводная версия: 10.1134/S1063782620010108

Ильинская Н.Д.¹, Лебедева Н.М.¹, Задиранов Ю.М.¹, Иванов П.А.¹, Самсонова Т.П.¹, Коньков О.И.¹, Потапов А.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4H-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали >45^o) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали <45^o) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4H-SiC. Ключевые слова: травление SiC, полевые СВЧ транзисторы, мезаструктуры.

T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications, 1st edn (Wiley-IEEE Press, 1 2014)
А.Л. Сыркин, И.В. Попов, В.Е.Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
J.W. Palmour, R.F. Davis, T.M. Wallett, K.B. Bhasin. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 590 (1986)
W.S. Pan, A.J. Steckl. SPP Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, ed. by M.M. Rahman, C.Y.-W. Yang and G.L. Harris (Berlin, Heidelberg, Springer Verlag, 1989) v. 43, p. 217
Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров. Ионно-плазменная обработка материалов (М., Радио и связь, 1986)
П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. (М., 1984)
A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Linderfelt. Mater. Sci. Forum, 264-268, 513 (1998)
W. Shockley. Proc. IRE, 40, 1365 (1952)
А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
H. Yano, T. Hirao, T. Kimoto, H. Matsunami, H. Shiomi. Appl. Phys. Lett., 81, 4772 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель