Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки

Иванов П.А.¹, Ильинская Н.Д.¹, Потапов А.С.¹, Самсонова Т.П.¹, Афанасьев А.В.², Ильин В.А.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние быстрого термического отжига (температура 600-800^oC, длительность 2 мин) на прямые вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки. В качестве металла контактов Шоттки использовались вольфрам, никель, хром и молибден, осажденные электронно-лучевым напылением в вакууме. Для разных металлов обнаружен разный характер влияния термообработки на высоту барьера и на разброс параметров контактов, характеризующий степень их однородности.

F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, P. Musumeci, L. Calcagno, G.G. Condorelli. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 77, 827 (2003)
F. Roccaforte, F. La Via, A. Baeri, V. Raineri, L. Calcagno, F. Mangano. J. Appl. Phys., 96, 4313 (2004)
Q. Zhang, T.S. Sudarshan. J. Electron. Mater, 30, 1466 (2001)
K.V. Vassilevski, A.B. Horsfall, C.M. Johnson, N.G. Wright, A.G. O'Neil. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 947 (2002)
P. Perrone, M. Naretto, S. Ferrero, L. Scaltrito, C.F. Pirri. Mater. Sci. Forum, 615-- 617, 647 (2009)
D.J. Ewing, Q. Wahab, R.R. Ciechonski, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.M. Porter. Semicond. Sci. Technol., 22, 1287 (2007)
B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser. J. Electron. Mater., 29, 376 (2000)
А.С. Потапов, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43, 640 (2009)
T. Nakamura, T. Miyanagi, H. Tsuchida, I. Kamata, T. Jikimoto, K. Izumi. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 721 (2005)
А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, И.Г. Казарин, А.А. Петров. ЖТФ, 71, 78 (2001)
S. Ferrero, A. Albonico, U.M. Meotto, G. Rambola, S. Porro, F. Giorgis, D. Perrone, L. Scaltrito, E. Bontempi, L.E. Depero, G. Richieri, L. Merlin. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 733 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель