Вышедшие номера
Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
Блохин С.А.1, Надточий А.М.1, Красивичев А.А.1, Карачинский Л.Я.1, Васильев А.П.1, Неведомский В.Н.1, Максимов М.В.1, Цырлин Г.Э.1, Буравлев А.Д.1, Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.2, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

С помощью спектроскопии фотолюминесценции проведены поляризационные исследования InGaAs КТ, синтезированных в режиме субмонослойного осаждения (СМКТ) на сингулярной поверхности GaAs (100). Исследовано влияние эффективного содержания In в InGaAs КТ и широкозонной матрицы AlGaAs на оптическую анизотропию КТ. Максимальная (>15%) оптическая анизотропия излучения с основного состояния InGaAs СМКТ между направлениями [011] и [011] наблюдается при эффективном содержании In~ 40%. Применение широкозонной матрицы AlGaAs позволило увеличить оптическую анизотропию InGaAs СМКТ в 1.5 раза. Обнаружено, что вертикальное складирование In(Ga)As/AlGaAs СМКТ в режиме вертикального связывания (разделяющие слои 5-10 нм) ведет к дальнейшему росту степени оптической анизотропии (в среднем до 25%). Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, оптическая анизотропия фотолюминесценции в основном обусловлена анизотропией латеральных размеров КТ по направлениям [011] и [011].