Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

Блохин С.А.¹, Надточий А.М.¹, Красивичев А.А.¹, Карачинский Л.Я.¹, Васильев А.П.¹, Неведомский В.Н.¹, Максимов М.В.¹, Цырлин Г.Э.¹, Буравлев А.Д.¹, Малеев Н.А.¹, Жуков А.Е.², Леденцов Н.Н.¹, Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью спектроскопии фотолюминесценции проведены поляризационные исследования InGaAs КТ, синтезированных в режиме субмонослойного осаждения (СМКТ) на сингулярной поверхности GaAs (100). Исследовано влияние эффективного содержания In в InGaAs КТ и широкозонной матрицы AlGaAs на оптическую анизотропию КТ. Максимальная (>15%) оптическая анизотропия излучения с основного состояния InGaAs СМКТ между направлениями [011] и [011] наблюдается при эффективном содержании In~ 40%. Применение широкозонной матрицы AlGaAs позволило увеличить оптическую анизотропию InGaAs СМКТ в 1.5 раза. Обнаружено, что вертикальное складирование In(Ga)As/AlGaAs СМКТ в режиме вертикального связывания (разделяющие слои 5-10 нм) ведет к дальнейшему росту степени оптической анизотропии (в среднем до 25%). Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, оптическая анизотропия фотолюминесценции в основном обусловлена анизотропией латеральных размеров КТ по направлениям [011] и [011].

D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley and Sons, 1999)
V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures (Springer, Berlin, 2003)
J. Marquez, L. Geelhaar, K. Jacobi. Appl. Phys. Lett., 78 (16), 2309 (2001)
M.C. Xu, Y. Temko, T. Suzuki, K. Jacobi. J. Appl. Phys., 98, 083 525 (2005)
Z.M. Wang, K. Holmes, Yu.I. Mazur, G.J. Salamoi. Appl. Phys. Lett., 84 (11), 1931 (2004)
M. Schmidbauer, Zh.M. Wang, Yu.I. Mazur, P.M. Lytvyn, G.J. Salamo, D. Grigoriev, P. Schafer, R. Kohler, M. Hanke. Appl. Phys. Lett., 91, 093 110 (2007)
С.А. Блохин, А.М. Надточий, А.А. Красивичев, Л.Я. Карачинский, А.П. Васильев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 36 (23), 24 (2010)
S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, I.P. Soshnikov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, B.V. Volovik, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 15 (11), 1061 (2000).
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 30 (8), 1345 (1996)
Д.С. Сизов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.А. Тонких, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Ю.Г. Мусихин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 37 (5), 578 (2003)
N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrich. Phys. Rev. B, 54 (24), 8743 (1996)
P. Yu, W. Langbein, K. Leosson, J.M. Hvam, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin. Phys. Rev. B, 60 (24), 16 680 (1999)
А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31 (7), 851 (1997)
P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64 (12), 1526 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель