Вышедшие номера
Исследование структуры аморфных слоев a-As2Se3<Bi>x методом диэлектрической спектроскопии
Анисимова Н.И.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1, Кастро Р.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

В аморфных слоях триселенида мышьяка с различным содержанием примеси висмута изучены процессы диэлектрической поляризации в переменных электрических полях. Интерпретация полученных экспериментальных результатов проводится в рамках модели, согласно которой при малых концентрациях атомы Bi внедряются в сетку исходной матрицы аморфной структуры как заряженные центры; дальнейшее увеличение количества легирующей добавки сопровождается появлением упорядоченных включений (кластеров) Bi2Se3 в изучаемых составах.
  1. А.И. Губанов. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников (М., Изд-во АН СССР, 1963)
  2. M.H. Cohen, H. Fritzsche, S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 22, 1065 (1969)
  3. E.A. Davis, N.F. Mott. Phil. Mag., 22, 903 (1970)
  4. M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 26 (7), 355 (1972)
  5. R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35 (19), 1293 (1975)
  6. M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37 (22), 1504 (1976)
  7. В.В. Соболев, А.М. Широков. Электронная структура халькогенидов (М., Наука, 1988)
  8. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  9. А. Фельтц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
  10. G.J. Adraenssens, N. Qamhieh. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 14, 605 (2003)
  11. B.T. Kolomiets. Phys. Status Solidi, 7, 359 (1964)
  12. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)
  13. Р. Nagy. Phill. Mag. B, 48 (1), 47 (1983)
  14. Ю.С. Тверьянович, З.У. Борисова. Тез. Всесоюз. конф. " Стеклообразные полупроводники" (Л., 1985) с. 238
  15. N. Tohge, T. Minami, Y. Yamamoto, M. Tanaka. J. Appl. Phys., 51, 1048 (1980)
  16. K.I. Bhatia. J. Non-Cryst. Sol., 54, 173 (1983)
  17. M. Saiter, T. Derrey, C. Vautier. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1169 (1985)
  18. C. Vautier. Sol. St. Phenomena, 71, 249 (2000)
  19. Р.А. Кастро, Г.И. Грабко. ФТП, 45 (5), 622 (2011)
  20. Р.А. Кастро, Г.И. Грабко, Т.В. Татуревич. Письма ЖТФ, 37 (18), 1 (2011)
  21. Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Т.В. Татуревич. ФТП, 45 (12), 1646 (2011)
  22. О.В. Мазурин. Электрические свойства стекла (Л., Ленгосхимиздат, 1962)
  23. A.A. Simashkevich, S.D. Shutov. Phys. Status Solidi, 84 (1), 343 (1984)
  24. Б.Л. Тимман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
  25. С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП, 30 (12), 2154 (1996)
  26. Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП, 44 (8), 1038 (2010)
  27. S.R. Elliot, A.T. Steel. Phys. Rev. Lett., 57, 1316 (1986)
  28. О.В. Мазурин, В.Б. Браиловский. Стеклообразное состояние (М., 1965) с. 277
  29. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.