"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010157
Михайлов А.И.1, Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Решанов С.А.2, Schoner A.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Ascatron AB, Kista, Sweden
Email: aleksey.i.mikhaylov@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4H-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной p-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза. Ключевые слова: 4H-SiC, эпитаксия, канал транзистора, МДП-транзистор, MOSFET.
  1. В.В. Лучинин. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 259 (2016)
  2. В.В. Лучинин. Наноиндустрия, 65 (3), 78 (2016)
  3. A.I. Mikhaylov, A.V. Afanasyev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, L. Knoll, R.A. Minamisawa, G. Alfieri, H. Bartolf. Jpn. J. Appl. Phys., 2016, 08PC04 (2016)
  4. А.И. Михайлов. Автореф. канд. дис. (СПб., СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2018) с. 182
  5. H.F. Li, S. Dimitrijev, H.B. Harrison, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 70 (15), 2028 (1997)
  6. Ph. Jamet, S. Dimitrijev, Ph. Tanner. J. Appl. Phys., 90 (10), 5058 (2001)
  7. V.V. Afanas'ev, A. Stesmans, F. Ciobanu, G. Pensl, K.Y. Cheong, S. Dimitrijev. Appl. Phys. Lett., 82 (4), 568 (2003)
  8. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Appl. Phys. Lett., 96 (20), 203508 (2010)
  9. H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. ECS Trans., 50 (3), (2013)
  10. А.И. Михайлов, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, С.А. Решанов, M. Krieger, A. Schoner, T. Sledziewski. ФТП, 48 (12), 1621 (2014)
  11. S. Dhar, S.H. Ryu, A.K. Agarwal. IEEE Trans. Electron Dev.. 57 (6), 1195 (2010)
  12. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T Fuyuki. Mater. Sci. Forum., 645--648, 495 (2010)
  13. P. Fiorenza, L.K. Swanson, M. Vivona, F. Gianazzo, C. Bongiorno, A. Frazzetto, F. Roccaforte. Appl. Phys. A, 115 (1), 333 (2014)
  14. A.I. Mikhaylov, A.V. Afanasyev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, L. Knoll, R.A. Minamisawa, G. Alfieri, H. Bartolf. Mater. Sci. Forum, 858, 651 (2015)
  15. A. Modic, G. Liu, A.C. Ahyi, Yu. Zhou, P. Xu, M.C. Hamilton, J.R. Williams, L.C. Feldman, S. Dhar. IEEE Electron Dev. Lett., 35 (9), 894 (2014)
  16. S. Harada, S. Suzuki, J. Senzaki, R. Kosugi, K. Adachi, K. Fukuda, K. Arai. IEEE Electron Dev. Lett., 22 (6), 272 (2001)
  17. S. Potbhare, N. Goldsman, G. Pennington, A. Lelis, J.M. McGarity. J. Appl. Phys., 100 (4), 44515 (2006)
  18. F. La Via, M. Camarda, A. La Magna. Appl. Phys. Rev., 1 (3), 31301 (2014)
  19. А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.И. Михайлов, С.А. Решанов, A. Schoner. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 308 (2016)
  20. G. Ghibaudo. IEEE Electron Dev. Lett., 24 (9), 543 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.