"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4H-SiC диодов с помощью протонного облучения
Переводная версия: 10.1134/S106378261906006X
Иванов П.А.1, Кудояров М.Ф.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Исследовано влияние протонного облучения на электрические характеристики высоковольтных (3 кВ) инжекционных диодов на основе 4H-SiC. Облучение проводилось через никелевую маску толщиной 10 мкм, энергия протонов и доза облучения составляли 2.8 МэВ и 4·1011 см-2 соответственно. После облучения дифференциальное сопротивление диодов в прямом направлении увеличивалось на ~35%, заряд обратного восстановления диодов уменьшался в ~3 раза, а характер переключения с прямого направления на обратное становился жестким".
  • P. Hazdra, J. Vobecky, H. Dorschner, K. Brand. Microelectron. J., 35, 249 (2004)
  • И.В. Грехов, А.В. Рожков, Л.С. Костина, А.В. Коновалов, Ю.Л. Фоменко. ЖТФ, 10, 50 (2011)
  • В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  • П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, Т.П. Самсонова. ФТП, 52, 1187 (2018)
  • В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  • www.srim.org
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов, И.В. Грехов. ФТП, 49, 1558 (2015)
  • П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. Письма ЖТФ, 44, 3 (2018)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.