"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4H-SiC диодов с помощью протонного облучения
Переводная версия: 10.1134/S106378261906006X
Иванов П.А.1, Кудояров М.Ф.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Исследовано влияние протонного облучения на электрические характеристики высоковольтных (3 кВ) инжекционных диодов на основе 4H-SiC. Облучение проводилось через никелевую маску толщиной 10 мкм, энергия протонов и доза облучения составляли 2.8 МэВ и 4·1011 см-2 соответственно. После облучения дифференциальное сопротивление диодов в прямом направлении увеличивалось на ~35%, заряд обратного восстановления диодов уменьшался в ~3 раза, а характер переключения с прямого направления на обратное становился жестким".
  1. P. Hazdra, J. Vobecky, H. Dorschner, K. Brand. Microelectron. J., 35, 249 (2004)
  2. И.В. Грехов, А.В. Рожков, Л.С. Костина, А.В. Коновалов, Ю.Л. Фоменко. ЖТФ, 10, 50 (2011)
  3. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  4. П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, Т.П. Самсонова. ФТП, 52, 1187 (2018)
  5. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  6. www.srim.org
  7. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  8. П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов, И.В. Грехов. ФТП, 49, 1558 (2015)
  9. П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. Письма ЖТФ, 44, 3 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.