"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060113
Правительство Российской Федерации , 211, 02.А03.21.0006.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Программа ФНИ государственных академий наук на 2013-2020 годы, АААА-А16-116122810218-7
Маскаева Л.Н. 1,2, Федорова Е.А. 1, Марков В.Ф. 1,2, Кузнецов М.В. 3, Липина О.А. 3
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mln@ural.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200±10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO2. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.
  1. N.R. Mathews. Sol. Energy, 86, 1010 (2012)
  2. V.R.M. Reddy, S. Gedi, B. Pejjai, C. Park. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 27 (6), 5491 (2016)
  3. T.М. Разыков, К.М. Кучкаров, Б.А. Эргашев, Р.Т. Йулдошов, О.М. Турсункулов. Гелиотехника, 2, 3 (2017)
  4. G. Jeong, J. Kim, O. Gunawan, S.R. Pae, S.H. Kim, J.Y. Song, Y.S. Lee, B. Shin. J. Alloys Compd., 722, 474 (2017)
  5. A. Zakutayev. Curr. Opin. Green Sustainable Chem., 4, 8 (2017)
  6. L.C. Zhang. Sci. Rep., 6, 19830 (2016)
  7. В.С. Бойко, В.И. Гарбер, А.М. Косевич. Обратимая пластичность кристаллов (М., Наука, 1991)
  8. M. Wu, X.C. Zeng. Nano Lett., 16, 3236 (2016)
  9. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх. УФН, 188 (1), 3 (2018)
  10. G. Jeong, J. Kim, O. Gunawan, S.R. Pae, S.H. Kim, J.Y. Song, Y.S. Lee, B. Shin. J. Alloys Compd., 722, 474 (2017)
  11. M.R. Burton, T.J. Liu, J. Mc Gettrick, S. Mehraban, J. Baker, A. Pockett, T. Watson, O. Fenwick, M.J. Carnie. Adv. Mater., 30 (31), 1801357 (2018)
  12. T.M. Razykova, G.S. Boltaev, A. Bosio, B. Ergashev, K.M. Kouchkarov, N.K. Mamarasulov, A.A. Mavlonov, A. Romeo, N. Romeo, O.M. Tursunkulov, R. Yuldoshov. Sol. Energy, 159, 834 (2018)
  13. K.S. Urmila, T.A. Namitha, J. Rajani, R.R. Philip, B. Pradeep. J. Semiconductors, 37 (9), 093002 (2016)
  14. В.Ф. Дьяков, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, М.П. Миронов, Н.А. Третьякова. Изв. вузов. Сер.: Химия и хим. технология, 51, 37 (2008)
  15. М.П. Миронов, Л.Д. Лошкарева, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. Бутлеровские сообщения, 19 (1), 25 (2010)
  16. E. Barrios-Salgado, M.T.S. Nair, P.K. Nair. ECS J. Solid State Sci. Technol., 3 (8), Q169 (2014)
  17. V.R. Solanki, R.J. Parmar, R.J. Pathak, M.D. Parmar. AIP Conf. Proc., 1837, 040019 (2017)
  18. P.K. Nair, A.K. Martinez, A.R.G. Angelmo, E.B. Salgado, M.T.S. Nair. Semicond. Sci. Technol., 33 (3), 035004 (2018)
  19. М.В. Кузнецов. Современные методы исследования поверхности твердых тел: фотоэлектронная спектроскопия и дифракция, СТМ-микроскопия (Екатеринбург, УрО РАН, 2010)
  20. А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы (М., Физматкнига, 2007)
  21. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Изв.АН. Сер. хим., N 7, 1523 (2014)
  22. S. Badrinarayanan, A.B. Mandale, V.G. Gunjikar, A.P.B. Sinha. J. Mater. Sci., 21, 3333 (1986)
  23. S. Gubbala, H.B. Russell, H. Shah, B. Deb, J. Jasinski, H. Rypkemac, M.K. Sunkara. Energy Environ. Sci., 2, 1302 (2009)
  24. S. Wu, S. Yuan, L. Shi, Y. Zhao, J. Fang. J. Colloid Interface Sci., 346, 12 (2010)
  25. M. Kwoka, G. Czempik, J. Szuber. Acta Phys. Slovaca, 55, 331 (2005)
  26. Y.C. Her, J.Y. Wu, Y.R. Lin, S.Y. Tsai. Appl. Phys. Lett., 89, 043115 (2006)
  27. Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, С.Ю. Турищев, В.М. Кашкаров, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, A.В. Щукарев. Конденсированные среды и межфазные границы, 10 (2), 98 (2008)
  28. Q. Han, Y. Zhu, X. Wang, W. Ding. J. Mater. Sci., 39, 4643 (2004)
  29. N.D. Boscher, C.J. Carmalt, R.G. Palgrave, I.P. Parkin. Thin Sol. Films, 516, 4750 (2008)
  30. L.L. Ma, Z.D. Cui, Z.Y. Li, S.L. Zhu, Y.Q. Liang, Q.W. Yin, X.J. Yang. Mater. Sci. Eng. B, 178, 77 (2013)
  31. K. Ananthi, K. Thilakavathy, N. Muthukumarasamy, S. Dhanapandian, K.R. Murali. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 23, 1338 (2012)
  32. З.И. Смирнова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, В.И. Воронин, М.В. Кузнецов. Конденсированные среды и межфазные границы, 14 (2), 250 (2012)
  33. О.А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Ю.А. Юраков, А.Е. Попов, Д.А. Коюда, Д.Н. Нестеров, Д.Е. Спирин, Р.Ю. Овсянников, С.Ю. Турищев. ФTT, 57 (1), 145 (2015)
  34. R. Drevet, D. Dragoe, M.G. Barthes-Labrousse, A. Chausse, M. Andrieux. Appl. Surf. Sci., 384, 442 (2016)
  35. В.Б. Спиваковский. Аналитическая химия олова (М., Наука, 1975)
  36. L.D. Zhao, S.H. Lo, Y. Zhang, H. Sun, G. Tan, C. Uher, C. Wolverton, V.P. Dravid, M.G. Kanatzidis. Nature, 508 (7496), 373 (2014)
  37. C.W. Li, J. Hong, A.F. May, D. Bansal, S. Shi, T. Hong, G. Ehlers, O. Delaire. Nature Phys., 11 (12), 1063 (2015)
  38. B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran, M.J. Chockalingam. Thin Sol. Films, 357, 119 (1999)
  39. E. Barrios-Salgado, M.T.S. Nair, P.K. Nair. Thin Sol. Films, 598, 149 (2016)
  40. V. Kumar, P. Kumar, S. Yadav, V. Kumar, M.K. Bansal, D.K. Dwivedi. Mater. Sci.: Mater. Electron., 27, 4043 (2016)
  41. M. Thirumoorthi, J.T.J. Prakash. Superlat. Microstruct., 89, 378 (2016)
  42. A. Abdelkrima, S. Rahmane, O. Abdelouahab, N. Abdelmalek, G. Brahim. Optik, 127, 2653 (2016)
  43. Z.V. Borges, C.M. Poffo, J.C. de Lima, S.M. de Souza, D.M. Trich \hat es, T.P.O. Nogueira, L. Manzato, R.S. de Biasi. Mater. Chem. Phys., 169, 47 (2016)
  44. A.A. Yadav, S.C. Pawar, D.H. Patil, M.D. Ghogare. J. Alloys Compd., 652, 145 (2015)
  45. B. Pejova, I. Grozdanov. Thin Sol. Films, 515, 5203 (2007)
  46. А.И. Гусев. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства (Екатеринбург, УрО РАН, 1998)
  47. N. Kumar, U. Parihar, R. Kumar, K.J. Patel, C.J. Panchal, N. Padha. Amer. J. Mater. Sci., 2, 41 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.