"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Облучение протонами 4H-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060071
Калинина Е.В.1, Виолина Г.Н.2, Никитина И.П.1, Яговкина М.A.1, Иванова Е.В.1, Забродский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Впервые проведены комплексные сравнительные исследования рентгеновскими и оптическими методами ультрафиолетовых фотоприемников c Сr барьерами Шоттки, сформированными на 4H-SiC эпитаксиальных слоях, до и после облучения протонами с энергией 15 МэВ флюенсами в интервале (1-4) · 1012 см-2. С увеличением флюенсов облучения протонами наряду с ненарушенной матрицей карбида кремния наблюдалось формирование локализованных областей с отрицательной деформацией. Получено согласие рентгеновских и оптических исследований, позволяющих объяснить особенности спектральных изменений фоточувствительности детекторов в диапазоне 200-400 нм с увеличением флюенсов облучения протонами. Ультрафиолетовые фотоприемники Cr/4H-SiC выдерживали облучение протонами с энергией 15 МэВ флюенсом 4· 1012 см-2 практически без изменения фоточувствительности за счет геттерирования простых дефектов кластерными и аморфными образованиями, что приводило к частичному структурному улучшению облученного материала.
  1. E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 8, R33 (2003)
  2. Yu.A. Gold'berg. Semicond. Sci. Technol., 14, R41 (1999)
  3. T. Saito, T. Hitora, H. Ishihara, M. Matsuoka, H. Hitora, H. Kawai, I. Saito, E. Yamaguchi. Metrologia, 46, S272 (2009)
  4. A. Ben Moussa, A. Solyani, U. Schuhle, K. Haenen, Y.M. Chong, W.J. Zhang, R. Dahal, J.Y. Lin, H.X. Jiang, H.A. Barkad, B. Ben Moussa, D. Bolsee, C. Hermans, U. Kroth, C. Laubis, V. Mortet, J.C. De Jaeger, B. Giordanengo, M. Richter, F. Scholze, J.F. Hochedez. Diamond. Relat. Mater., 18, 860 (2009)
  5. D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28, 33 (2013)
  6. X. Chen, H. Zhu, J. Cai, Z. Wu. J. Appl. Phys., 102, 024505 (2007)
  7. F. Yan, X. Xin, S. Aslam, Y. Zhao, D. Franz, J. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
  8. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials (N. Y., Willey, 2001) Chap. 5
  9. D. M. Brown, E. T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993)
  10. Е.В. Калинина, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, B.B. Berenquier, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.А. Скуратов. ФТП, 49 (4), 540 (2015)
  11. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3780 (2004)
  12. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
  13. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37 (10), 1260 (2003)
  14. L. Storasta, F.H.C. Carisson, S.G. Shidhara, A. Aberg, J.P. Bergman, A. Hallen, E. Jznzen. Mater. Sci. Forum, 353-356, 431 (2001)
  15. D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1704 (2004)
  16. Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
  17. Е.В. Калинина, Н.А. Чучвага, Е.В. Богданова, А.М. Стрельчук, Д.Б. Шустов, М.В. Заморянская, В.А. Скуратов. ФТП, 48 (2), 167 (2014)
  18. Sglux-www.sglux.com; www.coc-inc.com
  19. С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. 4-е изд. (М., МИСИС. 2002) с. 77
  20. H.J. von Bandeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10126 (2000)
  21. H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura, S. Yoshida. J. Electron. Mater., 21, 707 (1992)
  22. D.T. Britton, M.-F. Barthe, C. Corbel, A. Hempel, L. Henry, P. Desgardin, W. Bauer-Kugelmann, G. Kogel, P. Sperr, W. Triftshauser. Appl. Phys. Lett., 78, 1234 (2001)
  23. V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
  24. M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
  25. A. Fissel, W. Richter, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Appl. Phys. Lett., 78, 2512 (2001)
  26. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  27. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  28. A. Goetzberger, W. Shockley. J. Appl. Phys., 31, 1821 (1960)
  29. H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 52, 889 (1988)
  30. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегородского ГУ) ч. 1, гл. 3, с. 158
  31. E. Kalinina, G. Kholuyanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Konstantinov, Anders Hallen. Mater. Sci. Forum, 433-436, 637 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.