Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060162 
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), "а", 18-02-00835 А
Подоскин А.А.
1, Романович Д.Н.1, Шашкин И.С.
1, Гаврина П.С.
1, Соколова З.Н.
1, Слипченко С.О.
1, Пихтин Н.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: podoskin@mail.ioffe.ru, shashkin@mail.ioffe.ru, zina.sokolova@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
Работа посвящена исследованию особенностей формирования высокодобротных замкнутых мод, работающих на эффекте полного внутреннего отражения, в прямоугольных резонаторах большого размера (сотни-тысячи длин волн) на основе лазерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs. В работе экспериментально исследованы особенности спектрального состава излучения и пространственных конфигураций модовых структур. Также рассмотрено влияние изменения накачки и температуры на модовый состав излучения.
- Wei-Hua Guo, Yong-Zhen Huang, Qiao-Yin Lu, Li-Juan Yu. IEEE J. Quant. Electron., 39 (12), 1563 (2003)
- M.Y. Tang, S.S. Sui, Y.D. Yang, J.L. Xiao, Y. Du, Y.Z. Huang. Opt. Express, 23 (21), 27739 (2015)
- H.T. Hattori. JOSA B, 25 (11), 1873 (2008)
- Y.D. Yang, Y.Z. Huang. IEEE J. Quant. Electron., 43 (6), 497 (2007)
- Y.D. Yang, Y.Z. Huang. J. Phys. D: Appl. Phys., 49 (25), 253001 (2016)
- A.W. Poon, F. Courvoisier, R.K. Chang. Optics Lett., 26 (9), 632 (2001)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105001 (2014)
- А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ЖТФ, 43 (2), 31 (2017)
- А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 49 (8), 1108 (2015)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Z.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel, C. Frevert, C.M. Schultz, K.-H. Hasler, R. Staske, B. Sumpf, A. Maab dorf, F. Bugge, S. Knigge, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 19 (4), 1501211 (2013)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, Z.N. Sokolova, A.Y. Leshko, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45 (5), 663 (2011)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
