"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO2 (λ=4.3 мкм) и CO (λ=4.7 мкм)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060174
Романов В.В. 1, Белых И.А.1, Иванов Э.В. 1, Алексеев П.А.1, Ильинская Н.Д. 1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: romanovvv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (A и B) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 и 4.7 мкм соответственно. Исследованы их вольт-амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Мощность излучения для светодиодов A и B в квазинепрерывном режиме (частота --- 512 Гц) при токе 250 мА составляла 24 и 15 мкВт соответственно. В импульсном режиме (частота --- 512 Гц, длительность --- 1 мкс) мощность излучения для светодиодов A и B при токе 2.1 А достигала 158 и 76 мкВт соответственно. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.
  1. R.H. Pierson, A.N. Fletcher, E.St.C. Gantz. Analyt. Chem., 28 (8), 1218 (1956)
  2. S. McCabe, B.D. MacCraith. Electron. Lett., 29 (19), 1719 (1993)
  3. J.G. Growder, S.D. Smith, A. Vass, J. Keddie. In: Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier (London, Springer, 2006) p. 595
  4. M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658526 (2007)
  5. А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнёв, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (15), 34 (1998)
  6. H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32 (15), 1768 (1999)
  7. A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32 (24), 3117 (1999)
  8. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 102 (2000)
  9. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
  10. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 40 (6), 717 (2006)
  11. А.С. Головин, А.П. Астахова, С.С. Кижаев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 36 (1), 105 (2010)
  12. Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 980 (2003)
  13. А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 37 (11), 15 (2011)
  14. В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП, 48 (6), 753 (2014)
  15. М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (1), 30 (2013)
  16. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975) с. 432
  17. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  18. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  19. V.N. Abakumov, V.I. Perel', I.N. Yassievich. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, ed. by V.M. Arganovich, A.A. Maradudin (Amsterdam, North Holland, 1991) v. 33, p. 320

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.