Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO2 (λ=4.3 мкм) и CO (λ=4.7 мкм)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060174 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: romanovvv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (A и B) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 и 4.7 мкм соответственно. Исследованы их вольт-амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Мощность излучения для светодиодов A и B в квазинепрерывном режиме (частота - 512 Гц) при токе 250 мА составляла 24 и 15 мкВт соответственно. В импульсном режиме (частота - 512 Гц, длительность - 1 мкс) мощность излучения для светодиодов A и B при токе 2.1 А достигала 158 и 76 мкВт соответственно. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.
- R.H. Pierson, A.N. Fletcher, E.St.C. Gantz. Analyt. Chem., 28 (8), 1218 (1956)
- S. McCabe, B.D. MacCraith. Electron. Lett., 29 (19), 1719 (1993)
- J.G. Growder, S.D. Smith, A. Vass, J. Keddie. In: Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier (London, Springer, 2006) p. 595
- M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658526 (2007)
- А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнёв, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (15), 34 (1998)
- H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32 (15), 1768 (1999)
- A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32 (24), 3117 (1999)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 102 (2000)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 40 (6), 717 (2006)
- А.С. Головин, А.П. Астахова, С.С. Кижаев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 36 (1), 105 (2010)
- Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 980 (2003)
- А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 37 (11), 15 (2011)
- В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП, 48 (6), 753 (2014)
- М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (1), 30 (2013)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975) с. 432
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
- V.N. Abakumov, V.I. Perel', I.N. Yassievich. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, ed. by V.M. Arganovich, A.A. Maradudin (Amsterdam, North Holland, 1991) v. 33, p. 320
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
