"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020088
Галиев Г.Б.1, Климов Е.А. 1, Клочков А.Н. 1, Копылов В.Б.1, Пушкарев C.C.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: klimov_evgenyi@mail.ru, klochkov_alexey@mail.ru, serp456207@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и p-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки LT-GaAs/GaAs:Si, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280-350oС, а слои GaAs:Si --- при более высокой температуре, 470oС. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As4 и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280oС, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs:Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77 K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов GaAs, VGa, а также комплексов SiGa-VGa, VAs-SiAs, SiAs-SiGa.
  1. A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010)
  2. I. Kostakis, M. Missous. AIP Adv., 3, 092131 (2013)
  3. N. Kim, S.-P. Han, H. Ko, Y.A. Leem, H.-C. Ryu, C.W. Lee, D. Lee, M.Y. Jeon, S.K. Noh, K.H. Park. Opt. Express, 19 (16), 15397 (2011)
  4. H. Roehle, R.J.B. Dietz, H.J. Hensel, J. Bottcher, H. Kunzel, D. Stanze, M. Schell, B. Sartorius. Opt. Express, 18 (3), 2296 (2010)
  5. I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83, 4199 (2003)
  6. M. Missous, S. O'Hagan. J. Appl. Phys., 75 (7), 3396 (1994)
  7. X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)
  8. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  9. A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, S. Marcinkevicius. Appl. Phys. Lett., 75, 3336 (1999)
  10. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
  11. P. Specht, R.C. Lutz, R. Zhao, E.R. Weber, W.K. Liu, K. Bacher, F.J. Towner, T.R. Stewart, M. Luysberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1200 (1999)
  12. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
  13. T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P.O. Vaccaro, K. Fujita. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
  14. Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров, А.А. Ломов, Р.М. Имамов. ЖТФ, 69 (7), 68 (1999)
  15. Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Л.Э. Велиховский. ФТП, 35 (4), 427 (2001)
  16. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
  17. K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 65, 1171 (1994)
  18. A. Miyagawa, T. Yamomoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, Y. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237- 239, 1434 (2002)
  19. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Л. Васильев, Р.М. Имамов, С.С. Пушкарев, И.Н. Трунькин, П.П. Мальцев. Кристаллография, 62 (1), 77 (2017)
  20. D.I. Khusyainov, C. Dekeyser, A.M. Buryakov, E.D. Mishina, G.B. Galiev, E.A. Klimov, S.S. Pushkarev, A.N. Klochkov. Intern. J. Mod. Phys. B, 31, 1750195 (2017)
  21. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 52 (3), 395 (2018)
  22. C.D. Yerino, B. Lang, D.L. Huffaker, P.J. Simmonds, M.L. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 35 (1), 010801 (2017)
  23. Л.Л. Анисимова, А.К. Гутаковский, И.В. Ивонин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач. Журнал структурной химии, 45, 96 (2004)
  24. Paul J. Simmonds, Minjoo Larry Lee. J. Appl. Phys., 112, 054313 (2012)
  25. N.H. Ku, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
  26. D. Johnston, L. Pavesi, M. Henini. Microelectronics J., 26, 759 (1995)
  27. И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
  28. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
  29. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарeв, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1243 (2015)
  30. D.C. Look, D.C. Walters, G.D. Robinson, J.R. Sizelove, M.G. Mier, C.E. Stutz. J. Appl. Phys., 74, 306 (1993)
  31. E.A.P. Prieto, S.A.B. Vizcara, A.S. Somintac, A.A. Salvador, E.S. Estacio, C.T. Que, K. Yamamoto, M. Tani. J. Opt. Soc. Am. B, 31 (2), 291 (2014)
  32. M. Stellmacher, J. Nagle, J.F. Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, A. Alexandrou. J. Appl. Phys., 88, 6026 (2000)
  33. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.