Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46770.8914

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120138

Козловский В.В.

¹, Лебедев А.А.^2,3, Давыдовская К.С.², Любимова Ю.В.⁴

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

⁴Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, Shura.Lebe@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 15 мая 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур.

A.A. Lebedev. Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, vol. 6, 2017)
В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев. Поверхность, 3, 22 (2015)
N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10 In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish (Ser. Semicond. Semimet., v. 91, Elsevier, 2015)
K. Danno, D. Nakamura, T. Kimoto. APL, 90, 202109 (2007)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
M.L. David, G. Alferi, E.M. Monakhov, A. Hallen, C. Blanchard, B.G. Svensson, J.F. Barbot. J. Appl. Phys., 95, 4728 (2004)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 083503 (2017)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 133501 (2017)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. JAP, 123, 024502 (2018)
http://cree.com/ Cree Inc.: (04.04.2017)
V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan. Semiconductors, 48 (12), 1552 (2014)
V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin. Semiconductors, 50 (10), 1291 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель