"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120138
Козловский В.В. 1, Лебедев А.А.2,3, Давыдовская К.С.2, Любимова Ю.В.4
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур.
  • A.A. Lebedev.  Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, vol. 6, 2017)
  • В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев. Поверхность, 3, 22 (2015)
  • N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10 In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish (Ser. Semicond. Semimet., v. 91, Elsevier, 2015)
  • K. Danno, D. Nakamura, T. Kimoto. APL, 90, 202109 (2007)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • M.L. David, G. Alferi, E.M. Monakhov, A. Hallen, C. Blanchard, B.G. Svensson, J.F. Barbot. J. Appl. Phys., 95, 4728 (2004)
  • V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 083503 (2017)
  • V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 133501 (2017)
  • V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. JAP, 123, 024502 (2018)
  • http://cree.com/ Cree Inc.: (04.04.2017)
  • V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan. Semiconductors, 48 (12), 1552 (2014)
  • V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin. Semiconductors, 50 (10), 1291 (2016)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.