"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120138
Козловский В.В. 1, Лебедев А.А.2,3, Давыдовская К.С.2, Любимова Ю.В.4
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур.
  1. A.A. Lebedev.  Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, vol. 6, 2017)
  2. В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев. Поверхность, 3, 22 (2015)
  3. N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10 In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish (Ser. Semicond. Semimet., v. 91, Elsevier, 2015)
  4. K. Danno, D. Nakamura, T. Kimoto. APL, 90, 202109 (2007)
  5. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  6. M.L. David, G. Alferi, E.M. Monakhov, A. Hallen, C. Blanchard, B.G. Svensson, J.F. Barbot. J. Appl. Phys., 95, 4728 (2004)
  7. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 083503 (2017)
  8. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. APL, 110, 133501 (2017)
  9. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. JAP, 123, 024502 (2018)
  10. http://cree.com/ Cree Inc.: (04.04.2017)
  11. V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan. Semiconductors, 48 (12), 1552 (2014)
  12. V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin. Semiconductors, 50 (10), 1291 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.