"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120096
Министерство образования и науки России, государственное задание, 4.8337.2017/БЧ
Горшков А.П. 1, Волкова Н.С. 2, Павлов Д.А. 1, Усов Ю.В.1, Истомин Л.А. 2, Левичев С.Б. 2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkovap@mail.ru, volkovans88@mail.ru, pavlov@unn.ru, laistmn@gmail.com, slevichev@hotmail.com
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.
  1. J. Shumway, A.J. Williamson, A. Zunger, A. Passaseo, M. DeGiorgi, R. Cingolani, M. Catalano, P. Crozier. Phys. Rev. B, 64, 125302 (2001)
  2. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
  3. I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, A.P. Gorshkov, A.Yu. Ermakov. Nanotechnology, 13, 445 (2002)
  4. А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  5. Н.С. Волкова, А.П. Горшков, Д.О. Филатов, Д.С. Абрамкин. Письма ЖЭТФ, 100(3), 175 (2014)
  6. Н.С. Волкова, А.П. Горшков, А.В. Здоровейщев, Л.А. Истомин, С.Б. Левичев. ФТП, 49 (12), 1640 (2015)
  7. A.P. Gorshkov, N.S. Volkova, L.A. Istomin, A.V. Zdoroveishev, S. Levichev. Solid State Commun., 240, 20 (2016)
  8. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11969 (1995)
  9. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  10. http://www.nextnano.com/nextnanoplus
  11. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  12. N. Liu, J. Tersoff, O. Baklenov, A.L. Holmes, Jr., C.K. Shih. Phys. Rev. Lett., 84, 334 (2000)
  13. Ch. Heyn, W. Hansen. J. Cryst. Growth, 251, 140 (2003)
  14. J.M. Garci a, D. Granados, J.P. Silveira, F. Briones. Microelectron. J., 35, 7 (2004)
  15. W. Sheng, J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 63, 161301 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.