"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120266
Венедиктов М.М.1, Тарасова Е.А.2, Боженькина А.Д.2, Оболенский С.В.2, Елесин В.В.3, Чуков Г.В.3, Метелкин И.О.3, Кревский М.А.4, Дюков Д.И.4, Фефелов А.Г.4
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: thelen@yandex.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после gamma-нейтронного облучения.
  • Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
  • А.В. Моряшин, С.В. Оболенский, М.Ю. Петров, А.В. Якимов. Радиофизика, 50 (2), 147 (2007)
  • С.В. Оболенский, М.А. Китаев. Письма ЖТФ, 26 (10), 13 (2000)
  • Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
  • Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.М. Свешников. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
  • В.В. Елесин. Микроэлектроника, 43 (2), 133 (2014)
  • И.О. Метелкин, В.В. Елесин. Электрон. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 2 (241), 10 (2016)
  • Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 35 (5), 371 (2006)
  • Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, N 1, 20 (2003)
  • Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
  • Р. Зулиг. Радиационные эффекты в ИC на GaAs // Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988)
  • А.В. Скупов, С.В. Оболенский. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., N 4, 45 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.