"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120175
Мизеров А.М.1, Тимошнев С.Н.1, Соболев М.C.1, Никитина Е.В.1, Шубина К.Ю.1, Березовская Т.Н.1, Штром И.В.1, Буравлев А.Д.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: andreymizerov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Представлены результаты исследований влияния на кинетику роста и полярность слоев GaN/Si(111) начальных условий при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота --- условий нитридизации подложки Si(111), температуры роста GaN, стехиометрических условий роста GaN. Экспериментально установлено, что оптимальными начальными условиями эпитаксии GaN на подложках Si(111) является высокотемпературная нитридизация подложки Si(111), проводимая непосредственно перед ростом GaN. Показана возможность управления полярностью GaN за счет соответствующего выбора роста в условиях с N- или Ga-обогащением на начальной стадии эпитаксии GaN/Si(111).
  • D. Denninghoff, S. Dasgupta, J. Lu, S. Keller, U. Mishra. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 785 (2012)
  • Xing Lu, Jun Ma, Xue Liang Zhu, Chi Ming Lee, C. Patrick Yu, Kei May Lau. IEEE Inter. Ultrasonics Symp. Proc. (2012) p. 2206
  • J. Lu, X. Zheng, M. Guidry, D. Denninghoff, E. Ahmadi, S. Lal, S. Keller, P.S. DenBaars, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 104, 092107 (2014)
  • S. Keller, N.A. Fichtenbaum, M. Furukawa, J.S. Speck, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 90, 191908 (2007)
  • Sang-Tae Lee, Byung-Guon Park, Moon-Deock Kim, Jae-Eung Oh, Song-Gang Kim, Young-Heon Kim, Woo-Chul Yang. Current Appl. Phys., 12, 385e388 (2012)
  • Koteswara Rao Peta, Byung-Guon Park, Sang-Tae Lee, Moon-Deock Kim, Jae-Eung Oh. Microelectron. Engin., 93, 100 (2012);
  • Koteswara Rao Peta, Sang-Tae Lee, Moon-Deock Kima, Jae-Eung Oh, Song-Gang Kim, Tae-Geun Kim. J. Cryst. Growth, 378, 299 (2013)
  • M. Sobanska, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz, J. Borysiuk, B.S. Witkowski, E. Lusakowska, A. Reszka, R. Jakiela. Cryst. Res. Technol., 47 (3), 307 (2012)
  • A. Gkanatsiou, Ch.B. Lioutas, N. Frangis, E.K. Polychroniadis, P. Prystawko, M. Leszczynsk. Superlatt. Microstr., 103, 376 (2017)
  • J. Falta, Th. Schmidt, S. Gangopadhyay, T. Clausen, O. Brunke, J.I. Flege, S. Heun, S. Bernstorff, L. Gregoratti, M. Kiskinova. EPL, 94, 16003 (2011)
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  • A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronsky, J. Neugebauer, J.E. Northrup. Appl. Phys. Lett., 72, 2114 (1998)
  • Masao Tamura, Maximo Lopez-Lopez, Tokuo Yodo. Superficies y Vaci o, 13, 80 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.