Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46047.8648

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070242

Министерство образования и науки Российской Федераци, 3.9506.2017/БЧ

Президент РФ, 14.Z56.16.4518-МК

Трегулов В.В.

¹, Литвинов В.Г.

², Ермачихин А.В.

¹Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия Ryazan State University named for S. Yesenin, Ryazan, Russia

²Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия Ryazan State Radio Engineering University, Ryazan, Russia

Email: trww@yandex.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru

Поступила в редакцию: 16 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики, а также спектр фотоэдс полупроводниковой гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si. Установлено, что механизмы токопрохождения определяются генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда гетероперехода por-Si/p-Si, туннелированием носителей заряда в пленке por-Si и моделью токов, ограниченных пространственным зарядом. Предложен упрощенный вариант зонной диаграммы исследуемой гетероструктуры.

Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham. (Springer International Publishing, 2014)
J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
H.A. Thjeel, A.M. Suhail, A.N. Naji. Adv. Mater. Phys. and Chem., 1, 70 (2011)
S.A. Hasoon, I.M. Ibrahim, M.S. Raad. Int. J. Current Engin. Technol., 4 (2), 594 (2014)
M.A. Jafarov, E.F. Nasirov, S.A. Jahangirova. Int. J. Sci. Engin. Research, 6 (7), 849 (2015)
Б.Л. Шарма. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
L. Fangyang, L. Yanging, L. Jun. J. Alloys Comp., 493 (1, 2), 305 (2010)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171 (7), 689 (2001)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. ФТП, 40 (2), 180 (2006)
К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
А. Фаренбух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель